詳細信息
高壓貼片電容用于:照明電源產(chǎn)品，高低頻無極燈電源,通訊電源交換機，LED日光燈恒流驅(qū)動電源,汽車HID燈(安定器),模塊電源、醫(yī)療電源，LED阻容降壓,、ASDL語音分離器、RJ45以太網(wǎng)接口、數(shù)碼相機的閃光燈、LED圣誕燈,節(jié)能燈等以及各類電子產(chǎn)品中.
主要用于電源濾波，電源降壓，倍壓，吸收浪涌保護IC,基本工作原理就是充電放電，當(dāng)然還有整流、振蕩以及其它的作用。應(yīng)用于電源電路，實現(xiàn)旁路、去藕、濾波和儲能
MLCC 制作工藝流程：
1、原材料——陶瓷粉配料關(guān)鍵的部分(原材料決定MLCC的性能)；
2、球磨——通過球磨機(大約經(jīng)過2-3天時間球磨將瓷份配料顆粒直徑達到微米級)；
3、配料——各種配料按照一定比例混合；
4、和漿——加添加劑將混合材料和成糊狀；
5、流沿——將糊狀漿體均勻涂在薄膜上(薄膜為特種材料，保證表面平整)；
6、印刷電極——將電極材料以一定規(guī)則印刷到流沿后的糊狀漿體上(電極層的錯位在這個工藝上保證，不同MLCC的尺寸由該工藝保證)；
7、疊層——將印刷好電極的流沿漿體塊依照容值的不同疊加起來，形成電容坯體版(具體尺寸的電容值是由不同的層數(shù)確定的)；
8、層壓——使多層的坯體版能夠結(jié)合緊密；
9、切割——將坯體版切割成單體的坯體；
10、排膠——將粘合原材料的粘合劑用390攝氏度的高溫將其排除；
11、焙燒——用1300攝氏度的高溫將陶瓷粉燒結(jié)成陶瓷材料形成陶瓷顆粒(該過程持續(xù)幾天時間，如果在焙燒的過程中溫度控制不好就容易產(chǎn)生電容的脆裂)；
12、倒角——將長方體的棱角磨掉，并且將電極露出來，形成倒角陶瓷顆粒；
13、封端——將露出電極的倒角陶瓷顆粒豎立起來用銅或者銀材料將斷頭封起來形成銅(或銀)電極，并且鏈接粘合好電極版形成封端陶瓷顆粒(該工藝決定電容的)；
14、燒端——將封端陶瓷顆粒放到高溫爐里面將銅端(或銀端)電極燒結(jié)使其與電極版接觸縝密；形成陶瓷電容初體；
15、鍍鎳——將陶瓷電容初體電極端(銅端或銀端)電鍍上一層薄薄的鎳層，鎳層一定要完全覆蓋電極端銅或銀，形成陶瓷電容次體(該鎳層主要是屏蔽電極銅或銀與最外層的錫發(fā)生相互滲透，導(dǎo)致電容老衰)；
16、鍍錫——在鍍好鎳后的陶瓷電容次體上鍍上一層錫想成陶瓷電容成體(錫是易焊接材料，鍍錫工藝決定電容的可焊性)；
17、測試——該流程必測的四個指標(biāo)：耐電壓、電容量、DF值損耗、漏電流Ir和絕緣電阻Ri(該工藝區(qū)分電容的耐電壓值，電容的精確度等)
一NPO電容器
NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。
NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到+125℃時容量變化為0±30ppm/℃，電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后
小于±0.05%，相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。
NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。
二X7R電容器
X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當(dāng)溫度在-55℃到+125℃時其容量變化為15%，需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。
X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時間的變化而變化，大約每10年變化1%ΔC，表現(xiàn)為10年變化了約5%。
X7R電容器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用，而且當(dāng)電壓變化時其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點是在相同的體積下電容量可以做的比較大。
電容的主要特性參數(shù)
1容量與誤差：實際電容量和標(biāo)稱電容量允許的最大偏差范圍。一般分為3級：I級±5%，II級±10%，III級±20%。在有些情況下，還有0級，誤差為±20%。
精密電容器的允許誤差較小，而電解電容器的誤差較大，它們采用不同的誤差等級。
（2）額定工作電壓：電容器在電路中能夠長期穩(wěn)定、可靠工作，所承受的最大直流電壓，又稱耐壓。對于結(jié)構(gòu)、介質(zhì)、容量相同的器件，耐壓越高，體積越大。
（3）溫度系數(shù)：在一定溫度范圍內(nèi)，溫度每變化1℃，電容量的相對變化值。溫度系數(shù)越小越好。
（4）絕緣電阻：用來表明漏電大小的。一般小容量的電容，絕緣電阻很大，在幾百兆歐姆或幾千兆歐姆。電解電容的絕緣電阻一般較小。相對而言，絕緣電阻越大越好，漏電也小。
（5）損耗：在電場的作用下，電容器在單位時間內(nèi)發(fā)熱而消耗的能量。這些損耗主要來自介質(zhì)損耗和金屬損耗。通常用損耗角正切值來表示。
（6）頻率特性：電容器的電參數(shù)隨電場頻率而變化的性質(zhì)。在高頻條件下工作的電容器，由于介電常數(shù)在高頻時比低頻時小，電容量也相應(yīng)減小。損耗也隨頻率的升高而增加。另外，在高頻工作時，電容器的分布參數(shù)，如極片電阻、引線和極片間的電阻、極片的自身電感、引線電感等，都會影響電容器的性能。所有這些，使得電容器的使用頻率受到限制。不同品種的電容器，最高使用頻率不同。