產品說明：
      1Gbit的雙數據速率2 （ DDR2）的DRAM是高速CMOS雙數據速率2 SDRAM的含536,870,912位。它在內部配置為四銀行的DRAM 。 1GB的芯片被組織的16Mbit ×8的I / O ×4銀行或8Mbit的×16的I / O ×4銀行設備。這些同步裝置實現高達1066 MB /秒/針一般應用的高速雙數據速率傳輸速率。該芯片的設計符合所有主要的DDR2 DRAM的主要特點： （ 1 ）發布的CAS添加劑延時， （ 2 ）寫延時=讀延時-1 ， （ 3 ）正常和實力弱的數據輸出驅動器， （ 4 ）變量數據輸出阻抗調整和（ 5 ）的ODT （片上終端）的功能。所有的控制和地址輸入都與一對外部提供的差分時鐘同步。輸入鎖存在差分時鐘交叉點（ CK上升和??8??4??8??2下降） 。所有I / O都在源同步的時尚單端DQS或差分DQS對同步。一個13位地址總線為x8舉辦組件和一個12位的地址總線為x16組件是用來傳達行，列和行地址的設備。這些器件采用單1.8V±0.1V電源，可在BGA封裝

產品特性：
??1.8V±0.1V電源電壓
??8內部存儲器銀行
??可編程CAS延時：3，4，5（DDR2--3C/-AC）6（-BD）
??可編程添加劑延時：0，1????，2，3，45
??寫延時=讀延時-1
??可編程突發長度：
??4和8可編程序/交織突發
??OCD（片外驅動器阻抗調整）
??ODT（片上終端）
??4位預取架構
??數據 - 選通：雙向，差分
??1KB頁面大小為x4和x82KB頁大小為x16
??強和弱強度數據輸出驅動器
??自動刷新和自刷新
??省電的省電模式
??7.8μs最大。平均周期刷新間隔
??符合RoHS標準??套餐：
??60球BGA為X4/ X8組件
??84球BGA為x16組件