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引言
隨著MLCC電容值的不斷增加，過去用來測量電容的設備可能無法對大電容元件提供準確的測量。
特別是，儀表無法驅動足夠的交流電壓來測量全電容。以下討論包含常見問題的答案，以及對MLCC進行高容量值測量的測量提示。
Q1. 測量一些大電容MLCC時，為什么測量值會比較小？
A1. 測量電容器時，了解真實值、実效值和表示值之間的差異非常重要。真實值是電容器在沒有寄生電感和電阻的理想元件時的值。実效值是元件實際（實部）和矢量（虛部）的總和，與頻率有關。表示值是測量設備顯示的值，受制于測量精度。
測量大電容值電容時，儀表上設定的電壓等級（表示值）不一定等于DUT（Device Under Test，被測器件）中傳輸的電壓等級（実效值）。
Q2. 對電容器應該多大電壓和頻率才是合適的？
A2. MLCC電容器 > 10µF被視作大容値電容。制造技術的提高已經允許陶瓷電容器制造商生產接近鉭電容和鋁電解電容等的大容値電容器。這些“大容值”MLCC的測試規格是按照與鉭電容相同的條件來進行測試。測量電壓應為0.5 Vrms，測量頻率應為120Hz。下表概括并介紹測試條件。
| C ≤ 1000pF | 1.0 ± 0.2 Vrms | 1MHz ± 10% |
| 1000pF < C ≤ 10μF | 1.0 ± 0.2 Vrms | 1kHz ± 10% |
| C > 10μF | 0.5 ± 0.2 Vrms | 120 Hz ± 10% |
貼片電容材質介紹:
我們把用來制造片式多層瓷介電容（MLCC）的陶瓷叫電容器瓷。 這里所說的瓷介就是用電容器瓷制成的陶瓷介質。大家知道， 陶瓷是一類質硬、性脆的無機燒結體。就其顯微結構而論，大都具有多晶多相結構。其性能往往決定于其成份和結構。當配方確定之后， 能否達到預期的效果，關鍵取決于制造陶瓷粉料的工藝。
按其用途可以分為三類：①高頻熱補償電容器瓷（UJ、SL）； ②高頻熱穩定電容器瓷（NPO）；③低頻高介電容器瓷（X7R、Y5V、Z5U）。
按溫度系數分可以分為兩類：①負溫度系數電容器瓷（即高頻熱補償電容器瓷）；②正溫度系數電容器瓷（即平時我們常說的COG、X7R、Y5V瓷料）。
按工作頻率可以分為三類：低頻、高頻、微波介質。
高頻熱補償、熱穩定電容器瓷是專供Ⅰ類瓷介電容器作介質用， 其瓷料主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入適量的稀土類氧化物等配制而成。其特點是介質系數較大，介質損耗小，溫度系數和范圍廣，一般在（+120～-5600）ppm/℃之間可調。高頻熱補償電容瓷常用來制造的負溫產品，其用途最廣的地方就是振蕩回路， 像彩電高頻頭。大家知道，振蕩回路都是由電感和電容構成， 回路中的電感線圈一般具有正的電感溫度系數。因此，為了保持振蕩回路中頻率(F=1/2π√ LC )不隨溫度變化而發生漂移， 就必須先用具有適當的負溫度系數的電容器來進行補償。
低頻高介電容器是指強介鐵電陶瓷， 一般用作Ⅱ類瓷介電容器的介質。具有自發極化性質的非線性陶瓷材料，一般以鈦酸鋇（BaTiO3）為主體的鐵電陶瓷，其特點是介電系數特別
高，一般數千，甚至上萬； 介電系數隨溫度呈非線性變化，介電常數隨施加的外電場有非線性關系。
二、瓷介代號
陶瓷介質的代號是按其陶瓷粉料的溫度特性來命名的。 常用的幾種陶瓷粉料的含義如下：
Y5V：溫度特性Y代表 －25℃； 5代表＋85℃；
溫度系數V代表 －80％ ～ ＋30％
Z5U：溫度特性Z代表 ＋10℃； 5代表＋85℃；
溫度系數U代表 －56％ ～ ＋22％
X7R：溫度特性X代表 －55℃； 7代表＋125℃
溫度系數R代表 ± 15％
NP0：溫度系數是30ppm/℃
三、其它電子陶瓷的產品及用途
壓電陶瓷：利用其機－電轉換性能以制造換能器、 濾波器及變壓器等。
半導體瓷：其電氣性能對外界物理條件極其敏感， 可制造各種敏感元件。比如熱敏電阻，氣敏電阻。
磁性瓷：即鐵氧體瓷，是鐵磁性氧化物。 用以制造高頻或微波鐵氧體器件、以及恒磁器件。如VCD中的磁珠。
微波介質瓷：其品質因素大，頻率特性好，可制作聲表面波濾波器(SAWF)；陶瓷濾波器(CF)。
貼片電容的材質規格 ：
貼片電容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材質規格，不同的規格有不同的用途。下面我們僅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V來介紹一下它們的性能和應用以及采購中應注意的訂貨事項以引起大家的注意。不同的公司對于上述不同性能的電容器可能有不同的命名方法 ，NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區別是它們的填充介質不同。在相同的體積下由于填充介質不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容器的介質損耗、容量穩定性等也就不同。所以在使用電容器時應根據電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。
1: NPO電容器
NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。
NPO電容器是電容量和介質損耗最穩定的電容器之一。在溫度從-55℃到+125℃時容量變化為0±30ppm/℃，電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。
NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%，相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。
NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。
NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。
2: X7R電容器
X7R電容器被稱為溫度穩定型的陶瓷電容器。當溫度在-55℃到+125℃時其容量變化為15%，需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。
X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時間的變化而變化，大約每10年變化1%ΔC，表現為10年變化了約5%。
X7R電容器主要應用于要求不高的工業應用，而且當電壓變化時其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點是在相同的體積下電容量可以做的比較大。
三 Z5U電容器
Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍，對于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對于上述三種陶瓷單片電容起來說在相同的體積下Z5U電容器有最大的電容量。但它的電容量受環境和工作條件影響較大，它的老化率最大可達每10年下降5%。 盡管它的容量不穩定，由于它具有小體積、等效串聯電感（ESL）和等效串聯電阻（ESR）低、良好的頻率響應，使其具有廣泛的應用范圍。尤其是在退耦電路的應用中。
Z5U電容器的其他技術指標如下:
工作溫度范圍 +10℃ --- +85℃
溫度特性 +22% ---- -56%
介質損耗 最大 4%
4:Y5V電容器
Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器，在-30℃到85℃范圍內其容量變化可達+22%到-82%。
Y5V的高介電常數允許在較小的物理尺寸下制造出高達4.7UF電容器。
Y5V電容器的其他技術指標如下:
工作溫度范圍 -30℃ --- +85℃
溫度特性 +22% ---- -82%
介質損耗 最大 5%
電容的主要特性參數：
（1） 容量與誤差：實際電容量和標稱電容量允許的最大偏差范圍。一般使用的容量誤差有：J級±5%，K級±10%，M級±20%。
精密電容器的允許誤差較小，而電解電容器的誤差較大，它們采用不同的誤差等級。
常用的電容器其精度等級和電阻器的表示方法相同。用字母表示：D級—±0.5%；F級—±1%；G級—±2%；J級—±5%；K級—±10%；M級—±20%。
（2） 額定工作電壓：電容器在電路中能夠長期穩定、可靠工作，所承受的最大直流電壓，又稱耐壓。對于結構、介質、容量相同的器件，耐壓越高，體積越大。
（3） 溫度系數：在一定溫度范圍內，溫度每變化1℃，電容量的相對變化值。溫度系數越小越好。
（4） 絕緣電阻：用來表明漏電大小的。一般小容量的電容，絕緣電阻很大，在幾百兆歐姆或幾千兆歐姆。電解電容的絕緣電阻一般較小。相對而言，絕緣電阻越大越好，漏電也小。
（5） 損耗：在電場的作用下，電容器在單位時間內發熱而消耗的能量。這些損耗主要來自介質損耗和金屬損耗。通常用損耗角正切值來表示。
（6） 頻率特性：電容器的電參數隨電場頻率而變化的性質。在高頻條件下工作的電容器，由于介電常數在高頻時比低頻時小，電容量也相應減小。損耗也隨頻率的升高而增加。另外，在高頻工作時，電容器的分布參數，如極片電阻、引線和極片間的電阻、極片的自身電感、引線電感等，都會影響電容器的性能。所有這些，使得電容器的使用頻率受到限制。