應用范圍:功率 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SK2275.2SK2141 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 種類:結型(JFET) | 封裝:TO220
≥2 個
￥2.10
應用范圍:復合 | 品牌:ROHM/羅姆 | 型號:UMA3 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.15 | 集電極最大允許電流ICM:-0.1 | 截止頻率fT:250
≥3000 PCS
￥0.16
品牌:ST/意法 | 型號:STP10NK60Z | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 擊穿電壓VCBO:600 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:10 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:80 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:600 | 應用范圍:放大
≥100 PCS
￥2.00
品牌:JBL | 型號:MAC97A6 | 控制方式:雙向 | 極數:三極 | 封裝材料:塑料封裝 | 封裝外形:SOT-89 | 關斷速度:普通 | 散熱功能:不帶散熱片 | 頻率特性:低頻 | 功率特性:小功率 | 額定正向平均電流:1（A） | 控制極觸發電流:1-4（mA） | 最大穩定工作電流:1（A） | 反向重復峰值電壓:600（V）
1000-11999 PCS
￥0.30
≥12000 PCS
￥0.29
應用范圍:功率 | 品牌:XC | 型號:13001 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92 | 擊穿電壓VCBO:600V | 集電極最大允許電流ICM:0.5 | 截止頻率fT:10MHZ
1000-4999 PCS
￥0.20
≥5000 PCS
￥0.10
品牌:NXP/恩智浦 | 型號:BTA216-600C | 控制方式:雙向 | 極數:三極 | 封裝材料:金屬封裝 | 封裝外形:TO-220AB | 關斷速度:普通 | 散熱功能:帶散熱片 | 頻率特性:中頻 | 功率特性:中功率 | 控制極觸發電流:35MA（mA） | 最大穩定工作電流:16A（A） | 反向重復峰值電壓:600V（V） | 類型:其他IC | 批號:2010 | 封裝:TO-220
≥1 PCS
￥1.00
品牌:上晶 | 型號:KA600A/1200V | 控制方式:單向 | 極數:三極 | 封裝材料:陶瓷封裝 | 封裝外形:平板形 | 關斷速度:高頻(快速) | 散熱功能:不帶散熱片 | 頻率特性:超高頻 | 功率特性:中功率 | 額定正向平均電流:600（A） | 控制極觸發電流:·（mA） | 最大穩定工作電流:·（A） | 反向重復峰值電壓:1200（V）
品牌:上晶 | 型號:(3CT)KP600A1600V | 控制方式:單向 | 極數:三極 | 封裝材料:陶瓷封裝 | 封裝外形:平板形 | 關斷速度:普通 | 散熱功能:不帶散熱片 | 頻率特性:中頻 | 功率特性:大功率 | 額定正向平均電流:600（A） | 控制極觸發電流:·（mA） | 最大穩定工作電流:·（A） | 反向重復峰值電壓:1600（V）
品牌:TECHELE（武整） | 型號:KP600A | 控制方式:單向 | 極數:三極 | 封裝材料:金屬封裝 | 封裝外形:平板形 | 關斷速度:普通 | 散熱功能:不帶散熱片 | 頻率特性:低頻 | 功率特性:大功率 | 額定正向平均電流:600（A） | 控制極觸發電流:35-250（mA）
≥1 個
￥1.00
品牌:上晶 | 型號:KA600A1600V | 控制方式:單向 | 極數:三極 | 封裝材料:陶瓷封裝 | 封裝外形:平板形 | 關斷速度:高頻(快速) | 散熱功能:帶散熱片 | 頻率特性:超高頻 | 功率特性:中功率 | 額定正向平均電流:600（A） | 控制極觸發電流:.（mA） | 最大穩定工作電流:.（A） | 反向重復峰值電壓:1600（V）