半導體三極管又稱“晶體三極管”或“晶體管”。在半導體鍺或硅的單晶上制備兩個能相互影響的PN結，組成一個PNP（或NPN）結構。中間的N區（或P區）叫基區，兩邊的區域叫發射區和集電區，這三部分各有一條電極引線，分別叫基極B、發射極E和集電極C，是能起放大、振蕩或開關等作用的半導體電子器件。
    主要參數　　
特征頻率fT 　　當f= fT時，三極管完全失去電流放大功能。如果工作頻率大于fT，電路將不正常工作。 　　
工作電壓/電流 　　用這個參數可以指定該管的電壓電流使用范圍。 　　
hFE 　　電流放大倍數。 　　
VCEO 　　集電極發射極反向擊穿電壓，表示臨界飽和時的飽和電壓。 　　
PCM 　　最大允許耗散功率。

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