004 存儲裝置、存儲控制電路和磁頭位置偏移測量方法
[摘要] 本發(fā)明提供存儲裝置、存儲控制電路和磁頭位置偏移測量方法。磁盤具有這樣的結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，通過不允許磁寫入的非磁性物質(zhì)對由磁性物質(zhì)形成的多個磁道進(jìn)行分區(qū)。磁頭是由讀取頭和寫入頭組成的組合型磁頭。測量記錄單元以磁盤的預(yù)定徑向位置和磁道位置為記錄起點，在一圈磁道中使磁頭移動經(jīng)過至少大于一個磁道的預(yù)定量，從而在繪制螺旋形路徑的同時寫入測量數(shù)據(jù)。測量讀取單元使得在從包括記錄起點的內(nèi)周側(cè)到外周側(cè)的預(yù)定范圍內(nèi)逐漸偏移記錄起點的同時讀取以螺旋方式記錄的測量數(shù)據(jù)。位置偏移檢測單元求得讀取范圍內(nèi)的再現(xiàn)信號的振幅的分布，并在評測值的分布中檢測讀取頭與寫入頭在存儲介質(zhì)上沿徑向的位置偏移量以進(jìn)行存儲。

001 帶有多個觸發(fā)器的半導(dǎo)體集成電路
[摘要] 激活集成電路使多個組合在其中的ＦＦｓｌ能夠?qū)?shù)據(jù)存于其中。之后成測試模式連接。此時，例如ＦＦｓ被連接成多個級以形成成對的路徑。當(dāng)對應(yīng)于存在另一對路徑中的數(shù)據(jù)的期望值分別被寫入一對路徑，且被移位操作時，“異或”電路連續(xù)地對被存的數(shù)據(jù)和期望值進(jìn)行比較。而且，“或”電路連續(xù)地輸出表明集成電路是否正常工作的數(shù)據(jù)。只要被存的數(shù)據(jù)與期望值彼此重合，“或”電路就輸出“０”。

011 驅(qū)動電路與顯示器的驅(qū)動方法
[摘要] 本發(fā)明公開了一種驅(qū)動電路與顯示器的驅(qū)動方法，該方法包含下列步驟：將多個輸入影像信號處理成與顯示器的像素矩陣和數(shù)個灰階有關(guān)的數(shù)個像素信號；產(chǎn)生一極性控制信號POL；根據(jù)極性控制信號POL，決定像素信號的數(shù)個路徑；以及沿著所決定的路徑，將像素信號寫入像素矩陣中。

007 選擇性地提供可變寫入延遲的集成電路裝置以及其方法
[摘要] 本發(fā)明是有關(guān)于一種選擇性地提供可變寫入延遲的集成電路裝置以及其方法。該一種于DDR2(雙倍數(shù)據(jù)傳輸率2)集成電路記憶體裝置中選擇性地提供可變寫入延遲的輸出地址暫存器技術(shù)，可以減少直接耦接至輸出的路徑數(shù)。本發(fā)明揭露一種DQ正反器串鏈，此串鏈只載入有效寫入地址，但在之后每個時脈周期連續(xù)地移位。因為新的讀出或?qū)懭朊畈荒茉谶B續(xù)的周期提出，所以在此串鏈中任意已知點，地址(或狀態(tài))對至少兩個周期有效。因此，在暫存器串鏈中一選定點能用來滿足兩個不同延遲的要求。對于DDR2來說，有N個寫入延遲的情況下，只需提供cei1(N/2)個至寫入地址輸出的存取點，因此可以節(jié)省晶片面積并且增加速度。在所揭露的一個實施例中，也可以支援DDR1。

008 半導(dǎo)體電路裝置及測試半導(dǎo)體裝置系統(tǒng)
[摘要] 本發(fā)明涉及一種用于測試一半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體電路裝置，包括：至少一測試數(shù)據(jù)產(chǎn)生裝置；至少一測試時鐘輸入，用于接收一測試時鐘信號，至少一測試數(shù)據(jù)信號相關(guān)于一測試時鐘信號；至少一第一可調(diào)式寫入延遲裝置，用于調(diào)整在測試數(shù)據(jù)信號和測試時鐘信號間的相對時間關(guān)系；至少一測試數(shù)據(jù)輸出，連接至該待測試的半導(dǎo)體裝置；至少一測試數(shù)據(jù)時鐘輸出，連接至該待測試的半導(dǎo)體裝置，以用于將一測試數(shù)據(jù)時鐘信號至該半導(dǎo)體裝置；其中，該測試數(shù)據(jù)產(chǎn)生裝置以及至少一測試數(shù)據(jù)輸出彼此連接；一個測試時鐘輸入以及至少一測試數(shù)據(jù)時鐘輸出連接至彼此；該第一寫入延遲裝置設(shè)在該測試數(shù)據(jù)產(chǎn)生裝置以及該測試數(shù)據(jù)輸出間的信號路徑中、及/或是在該測試時鐘輸入以及該測試數(shù)據(jù)時鐘輸出之間的信號路徑之中。

003 具有多個存儲器層的部分實施的包含兼容性的集成電路存儲器陣列配置
014 光盤裝置、半導(dǎo)體集成電路和激光二極管驅(qū)動器
002 數(shù)據(jù)流的適配與連接的方法和電路裝置
013 補(bǔ)償電路與具有該補(bǔ)償電路的存儲器
009 具有加速非充電路徑的N型多米諾寄存器
005 同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器的寫入路徑電路
012 維特比器的電路與方法
006 具有全速數(shù)據(jù)變遷架構(gòu)的半導(dǎo)體集成電路及其設(shè)計方法
010 電子設(shè)備及其數(shù)據(jù)控制程序和電路芯片

以上14項技術(shù)包括在一張光盤內(nèi)
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