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（1）《晶體管電路活用技巧》正版圖書
（2）《晶體管電路》正版圖書
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（1）《晶體管電路活用技巧》正版圖書
　《晶體管電路活用技巧(活學活用電子技術)》的前半部分介紹組成電路的基本單位的各種電路單元，后半部分是把所介紹的電路單元進行各種組合，作成OP放大器，以及A-D、D-A轉換器。另外，還將詳細介紹雙極晶體管最終的整合法則，即跨導線性原理。通過這本書，給大家奉獻出多種晶體管的美味菜肴，讀者如果能夠在組合晶體管的模擬與實驗中享受到樂趣。本書由(日)柴田肇著；彭軍譯。
第1章 晶體管的放大機理
1.1 有效地利用原料
1.1.1 IC是由大量的晶體管構成的
1.1.2 如果掌握了1~4個器件組合成的電路單元就沒有什么可擔心的
1.2 晶體管梗概
1.2.1 雙極晶體管的物理結構
1.2.2 晶體管擅長的技能——放大
1.3 理解二極管的行為
1.3.1 只有當VF為正時,才有IF的流動
1.3.2 VF與IF的關系
1.4 晶體管的基本工作
1.4.1 晶體管具有與二極管相同的指數特性,不過電壓和電流是分開的
1.4.2 稍詳細地描述工作狀態
1.5 使用晶體管的最初的放大
1.5.1 放大信號,用電壓取出
1.5.2 能放大多少倍?
1.5.3 放大倍數與RC成比例地增大
1.5.4 輸入信號的偏置電壓VOFF與放大倍數
1.6 晶體管放大的機理
1.6.1 雙極晶體管的放大能力與集電極電流成比例
1.6.2 解開18mV之謎
小結
第2章 高明地使用晶體管進行放大的方法
2.1 仔細地分析晶體管
2.1.1 IC、IE、IB對于VBE的變化
2.1.2 基極電流與集電極電流成比例
2.2 從二極管的角度考慮的晶體管的工作
2.2.1 二極管的I-V特性
2.2.2 晶體管的工作原理
2.2.3 電流放大倍數β
2.2.4 發射極電流與集電極電流相等
2.2.5 晶體管的工作狀態
2.3 晶體管的等效電路
2.3.1 直流工作的晶體管的等效電路
2.3.2 小信號解析時使用的晶體管的等效電路
2.4 晶體管的弱點
2.4.1 容易受偏置電壓變化的影響
2.4.2 容易受溫度變化的影響
2.5 高明地使用晶體管進行放大的方法
2.5.1 給集電極接入電流源,進行電流偏置
2.5.2 給發射極接入電阻,進行電流偏置
2.5.3 通過模擬確認發射極電阻的效果
2.5.4 插入發射極電阻時,求放大倍數的關系式
2.5.5 為什么發射極插入電阻后,抗變化的能力增強了?
2.5.6 用晶體管變換阻抗
2.6 能克服這些弱點的差動放大電路
2.6.1 輸入電壓被兩個晶體管均等地分配
2.6.2 溫度或電壓發生變動時,差動放大電路可以穩定工作
2.6.3 電流偏置是晶體管電路的基本偏置方法
小結
第3章 用晶體管制作電流源
3.1 在與電壓源的比較中熟悉電流源的性質
3.1.1 電壓源——即使輸出電流改變,電壓也不改變
3.1.2 電流源——即使輸出電壓改變,流過的電流也不改變
3.2 用1個晶體管制作電流源
3.2.1 輸出阻抗的模擬分析
3.2.2 得到了ro=∞Ω的不現實的解析結果
3.2.3 晶體管的模擬模型的分析
3.2.4 初始效應體現在模型中,再次進行解析
3.2.5 通過計算進行確認
3.2.6 加進輸出電阻后,得到接近實際的晶體管特性的等效電路
3.3 電流源在差動放大電路中的應用
3.3.1 如果把集電極電阻RC也置換成電流源,就可以得到非常高的增益
3.3.2 電壓增益與集電極電流無關
3.4 進一步提高電流源的輸出阻抗的技巧
3.4.1 通過發射極電阻提高輸出阻抗
3.4.2 通過發射極電阻加反饋,能使集電極電流穩定
3.4.3 更精密地控制負反饋——增大回路的放大倍數
3.4.4 用模擬的方法確認插入發射極電阻提高輸出阻抗的問題
3.4.5 用等效電路分析插入發射極電阻提高輸出阻抗的問題
3.4.6 插入發射極電阻,降低了輸出電壓范圍
3.4.7 希望獲得更高的輸出阻抗時,采用共射共基放大器連接
3.4.8 希望進一步提高輸出阻抗時——BJT
3.4.9 希望獲得更高的輸出阻抗時——FET
小結
第4章 復制電流的電流反射鏡電路
4.1 基本的電流反射鏡電路
4.1.1 使用晶體管的電流源的改進型
4.1.2 通過模擬確認電流反射鏡電路的工作
4.2 各種電流反射鏡電路
4.2.1 多輸出型電流反射鏡電路
4.2.2 電流比為1∶2的電流反射鏡電路
4.2.3 電流比為2∶1的電流反射鏡電路
4.2.4 電流比為M∶N的電流反射鏡電路
4.3 電流復制時的誤差
4.3.1 基極電流引起誤差的機理
4.3.2 追加晶體管,減小基極電流引起的誤差
4.3.3 既能減小基極電流引起的誤差又提高了穩定性的威爾森電流反射鏡電路
4.3.4 基極電流誤差以外的復制誤差
4.3.5 與差動放大電路組合,可以無拘束地輸入輸出電流
4.4 復雜的電流反射鏡電路
4.4.1 基于零增益放大器的電流源
4.4.2 任意倍率的電流反射鏡電路
4.5 電流反射鏡的應用:D-A轉換器
4.5.1 D-A轉換器的結構
4.5.2 電流輸出型D-A轉換器的工作
小結
第5章 復制電壓的射極跟隨器電路
5.1 復制電壓
5.1.1 電壓復制電路必備的性質
5.1.2 電壓復制電路的基本應用
5.2 用晶體管復制電壓
5.2.1 輸入輸出電壓的關系
5.2.2 射極跟隨器
5.2.3 輸出電壓的變動
5.2.4 阻抗變換
5.2.5 最大供給電流
5.3 射極跟隨器的應用電路
5.3.1 簡易型恒壓源電路
5.3.2 使用齊納二極管的恒壓源電路
5.3.3 達林頓連接
5.3.4 不同極性的達林頓連接
5.3.5 反向達林頓連接
5.3.6 對吸入和吐出都沒有限制的推挽射極跟隨器
5.3.7 菱形電路
5.3.8 失真補償型跟隨器
小結
第6章 OP放大器的基礎與負反饋的機構
6.1 OP放大器概要
6.1.1 OP放大器的三個性質
6.1.2 加上負反饋,OP放大器接近理想的放大器
6.2 認識OP放大器的第一步——負反饋的作用
6.2.1 理解人工OP放大器中負反饋的機構
6.2.2 人工OP放大器的響應
6.2.3 負反饋動作
6.3 OP放大器的增益與負反饋后電路的性能
6.3.1 如果OP放大器的增益大,非反轉輸入端與反轉輸入端的電壓就變得相等
6.3.2 在OP放大器的增益小的情況下,輸入輸出增益不是1/β
6.3.3 在OP放大器的增益大的情況下,加負反饋后的增益接近1/β
6.4 OP放大器對交流信號的響應
6.4.1 使用晶體管的OP放大器的響應速度
6.4.2 當響應過于快時,有時會發生振蕩
6.5 加負反饋后的性能由環路增益決定
6.5.1 負反饋電路的輸入輸出關系的一般表達式
6.5.2 環路增益越大,輸入輸出增益越接近1/β
小結
第7章 用晶體管制作的OP放大器:基礎篇
7.1 一個晶體管的OP放大器
7.2 基于差動對和電阻負載的OP放大器
7.3 基于差動對和電流反射鏡負載的OP放大器
7.4 基于差動對、電流反射鏡、發射極接地電路的OP放大器
7.5 基于差動對、電流反射鏡、發射極接地電路、電壓緩沖器的OP放大器
7.6 轉換速率
7.6.1 通過模擬確認
7.6.2 發生轉換的原因
7.6.3 改善轉換速率的方法
7.6.4 基于發射極退化改善轉換速率的缺點
小結
第8章 用晶體管制作的OP放大器:應用篇
8.1 折疊共射共基型OP放大器
8.1.1 折疊共射共基連接
8.1.2 折疊共射共基型的OP放大器
8.1.3 折疊共射共基型OP放大器的模擬
8.2 基于折疊共射共基和共射共基自舉的OP放大器
8.3 電流反射鏡型的OP放大器
8.4 高轉換速率的OP放大器
8.4.1 OP放大器內部的電流源限制轉換速率
8.4.2 高轉換速率OP放大器的設計
8.4.3 高轉換速率OP放大器的模擬
8.5 基于緩沖器和電流反射鏡的電流反饋型OP放大器
8.5.1 GB積由外部的反饋電阻值決定
8.5.2 確定電流反饋型OP放大器的反饋電阻值的方法
8.5.3 電流反饋型OP放大器的模擬
小結
第9章 處理乘法運算的乘法電路
9.1 基于對數變換的乘法電路
9.2 基于差動放大電路的乘法電路
9.2.1 差動放大電路實際上也是乘法電路
9.2.2 乘法運算的狀態
9.2.3 由于差動放大電路的傳輸特性是tanh函數,所以乘法運算不能得到正確的結果
9.3 吉伯(Gilbert)增益單元
9.3.1 用tanh-1產生失真后輸入
9.3.2 tanh-1電路的結構
9.3.3 追加了tanh-1電路的電流模式乘法電路
9.3.4 直線性得到大幅度的改善
9.3.5 能夠從屬連接的寬頻帶乘法器“吉伯增益單元”
9.4 吉伯乘法器
9.4.1 擴展為4象限乘法器
小結
第10章 高速型A-D轉換器
10.1 計時電壓比較器
10.1.1 用時鐘在工作的電壓比較器內采樣
10.1.2 準確的比較需要高的增益
10.1.3 需要多高的增益?
10.1.4 用正反饋獲得高的增益
10.2 正反饋放大電路的設計
10.2.1 簡化等效電路
10.2.2 設計合成電阻RX使之成為負性電阻
10.2.3 增益隨著時間而增大
10.2.4 達到必要的增益所需的時間決定采樣頻率的極限
10.3 完成計時電壓比較器
10.3.1 追加變換計時控制電路
10.3.2 追加提供初始電壓的電路
10.3.3 把計時控制電路和提供初始電壓的電路組合到正反饋放大電路中
10.3.4 偏置電流I0和負載電阻R1、R2的常數確定
10.3.5 時常數的確認
10.3.6 最高時鐘頻率是11MHz
10.4 通過模擬確認動作
10.4.1 計時電壓比較器的模擬
10.4.2 2bit高速型A-D轉換器工作的模擬
10.4.3 解析結果:A-D轉換器與所期待的一致
小結
第11章 ΔΣ型A-D轉換器
11.1 環路增益減小失真和噪聲
11.1.1 OP放大器與ΔΣ型A-D轉換器很相似
11.1.2 環路增益減小末級的失真和噪聲
11.1.3 給回路的一部分加以數字信號
11.1.4 ΔΣ型A-D轉換器
11.1.5 分辨率提高了,頻帶卻變窄了
11.1.6 高階的回路濾波器使特性得到改善
11.1.7 最終的輸出需要經濾波取出
11.1.8 即使1bit的數字路徑也OK
11.2 低通ΔΣ型A-D轉換器
11.2.1 gm-C濾波器
11.2.2 未知參數的確定
11.2.3 狀態模型(behavior model)
11.2.4 內部8bitΔΣ型A-D轉換器的狀態模擬
11.2.5 環路濾波器的調整
11.2.6 內部3bit型ΔΣA-D轉換器
11.2.7 S/N的測量方法
11.2.8 內部1bitΔΣ型A-D轉換器
11.3 低通ΔΣ型A-D轉換器的晶體管化
11.3.1 內部1bit的A-D轉換器
11.3.2 內部1bit的D-A轉換器
11.3.3 跨導
11.3.4 調整
11.4 頻帶路徑型ΔΣ型A-D轉換器
11.4.1 中間頻率的A-D轉換
11.4.2 行為頻帶路徑ΔΣ型A-D轉換器的設計
11.4.3 行為頻帶路徑ΔΣ型A-D轉換器的模擬
11.4.4 頻帶路徑ΔΣ型A-D轉換器的晶體管化
11.4.5 晶體管化的頻帶路徑ΔΣ型A-D轉換器的模擬
小結
第12章 應用跨導線性原理
12.1 所謂跨導線性原理
12.1.1 定義
12.1.2 用雙極晶體管電路能夠表現任意函數
12.1.3 跨導線性原理的推導
12.1.4 溫度變化時,跨導線性電路是穩定的
12.2 基本的函數的合成
12.2.1 一次方電路
12.2.2 二次方電路
12.2.3 n次方電路
12.2.4 除法電路
12.2.5 乘法電路
12.2.6 用晶體管電路作成計算x2+2x+1的電路
12.3 有多個跨導線性回路情況下的解析方法
12.4 計算矢量振幅的電路
12.4.1 計算二維矢量振幅的電路
12.4.2 計算三維矢量振幅的電路
12.5 回路內有并聯連接的晶體管時的解析方法
12.6 絕對值電路
12.6.1 正、負值的輸入輸出
12.6.2 函數的分解
12.6.3 輸入電路
12.6.4 輸出電路
12.6.5 把輸入電路與輸出電路組合起來
12.7 2象限平方電路
12.8 三角函數發生電路
12.8.1 差動結構分解
12.8.2 發生三角函數
12.8.3 正弦波函數電路的模擬
小結
第13章 把文字描繪到示波器上的電路
13.1 把文字“Q”描繪在示波器上
13.1.1 給示波器輸入信號的條件
13.1.2 生成平滑信號
13.2 把三角波變換為平滑信號的晶體管電路
13.2.1 1級差動對的輸入輸出特性——y=tanh x
13.2.2 擴大線性范圍
13.2.3 峰狀特性
13.2.4 正弦波狀
13.2.5 改變峰的高度
13.3 文字“Q”的生成電路
13.3.1 把差動對巧妙地組合起來,作成“Q”生成電路
13.3.2 把tanh函數轉換成電路
13.3.3 移動電壓的標定
13.3.4 用電阻和電流源作成電壓移動電路
13.3.5 尾電流值的設定
13.4 實際的電路
13.4.1 電路與電流源
13.4.2 在文字“Q”電路與信號源之間插入偏置電路
13.5 試制與工作的確認
13.5.1 基板的制作與連接
13.5.2 工作
小結
第14章 正確施加負反饋
14.1 用煤氣熱水器體驗不穩定的反饋
14.1.1 手動控制煤氣量時水的溫度不穩定
14.1.2 不穩定的主要原因是“遲鈍”
14.1.3 巧妙地施加反饋的方法——慢慢地控制
14.1.4 知道輸出結果之前施加前饋控制
14.2 用人工OP放大器體驗不穩定現象
14.2.1 關注電子電路工作滯后的“相位滯后”問題
14.2.2 人工OP放大器
14.2.3 體驗不穩定的工作
14.2.4 增加放大級數會產生相位滯后,使環路變得不穩定
14.3 負反饋放大器產生振蕩的條件
14.3.1 振蕩的機理
14.3.2 振蕩難易的指標:相位余量和增益余量
14.3.3 電源電壓與振蕩條件
14.3.4 振蕩的條件
14.4 伯德圖的畫法與使用方法
14.4.1 RC低通濾波器的頻率特性
14.4.2 伯德圖的描繪方法
14.4.3 使用伯德圖也可以簡單地求得放大電路的合成增益
14.4.4 使用伯德圖,簡單地理解相位補償的方法
14.5 晶體管放大電路的穩定性
14.5.1 頻率解析的第一步從理解晶體管的等效電路開始
14.5.2 3級放大電路的頻率特性
14.5.3 頻帶寬的放大器
14.5.4 簡單的相位補償方法
14.6 從環路增益的頻率特性理解穩定的程度
14.6.1 OP放大器的相位補償概要
14.6.2 反饋率與穩定性的關系
14.6.3 穩定工作的條件
14.6.4 要求更高的穩定性時,需要犧牲GB積
14.6.5 消除基于零點的極點的例子
14.7 OP放大器穩定性的討論
14.7.1 用兩個放大級構成的電路的模擬解析
14.7.2 基于模擬的解析方法——不切斷回路,解析環路增益的頻率特性
14.7.3 具體的解析方法
14.7.4 結果:在相位余量為-20°處開始不穩定
14.7.5 尋找主極點和2次極點
14.8 相位補償法
14.8.1 窄頻帶法
14.8.2 米勒補償法
小結
Appendix A 從半導體物理看到的雙極晶體管的工作
Appendix B 米勒補償的原理與極點分離
Appendix C 正確地解析環路增益的方法
Appendix D 修正節點解析法
科學出版社下載區中有關本書的內容與使用方法
（2）《晶體管電路》正版圖書
第1章 半導體的性質　
　1.1　活躍在半導體中的電子
　1.2　電子技術的核心是半導體
　1.3　p型半導體和n型半導體有機結合形成二極管
　1.4　特殊二極管和二極管的使用方法
　本章小結
第2章 晶體三極管的作用
　2.1　晶體三極管是p型和n型半導體的有機結合
　2.2　晶體三極管究竟起著什么樣的作用
　2.3　晶體三極管的使用方法
　2.4　用靜態特性描述晶體三極管的伏-安特性
　本章小結
第3章 晶體三極管放大電路的基礎
　3.1　簡單的放大電路的工作原理
　3.2　偏置的必要性和偏置電路
　3.3　如何確定偏置電路的電阻值
　3.4　根據特性曲線求角偏置和放大倍數的方法
　3.5　用晶體三極管的四個參數畫出等效電路
　3.6　利用等效電路求取放大倍數的方法、
　本章小結
第4章 各種各樣的放大電路
　4.1　兩級低頻RC耦合電壓放大電路
　4.2　負反饋放大電路
　4.3　射極跟隨放大電路和直接耦合放大電路
　本章小結
第5章 功率放大電路
　5.1　功率放大電路的基本事項
　5.2　甲類功率放大電路
　5.3　乙類推挽功率放大電路
　本章小結
第6章 高頻放大電路
第7章 振蕩電路
第8章 頻率變換電路
第9章 調制與解調電路
第10章 電源電路
第11章 脈沖電路

（3）《各種晶體管電路技術內部資料匯編》正版光盤(1張)，有2000多頁內容,獨家資料
1  設計基于鰭式場效應晶體管(FINFET)的電路的方法及其實施系統
2  一種對場效應晶體管進行建模的方法及電路仿真方法
3  氮化鎵晶體管的驅動方法、電路及應用其電路的反激變換器
4  用于在功率晶體管電路中切換循環的方法
5  控制電路中晶體管的短路保護方法
6  碳納米管薄膜晶體管、AMOLED像素柔性驅動電路及制作方法
7  包括鰭形場效應晶體管的集成電路器件及其形成方法
8  一種集成結型場效應晶體管的自舉電路及自舉方法
9  一種用于晶體管開關的過壓保護電路及方法
10  一種晶體管、驅動電路及其驅動方法、顯示裝置
11  雙極性晶體管像素電路、其驅動方法以及影像傳感器
12  使用雙極晶體管陣列的PUF方法和含雙極晶體管陣列的電路
13  帶靜電釋放保護電路的溝槽式MOS晶體管的制造方法
14  一種薄膜晶體管及其制備方法、電路結構、電子設備
15  晶體管測試電路以及測試方法
16  閘流晶體管,觸發閘流晶體管的方法和閘流晶體管電路
17  一種晶體管、集成電路以及集成電路的制造方法
18  集成電路及制造具有包覆非平面晶體管結構的集成電路的方法
19  包含多柵極晶體管的電荷泵電路及其操作方法
20  半導體器件、制造方法以及晶體管電路
21  具有多個雙極晶體管的電路以及用于控制該電路的方法
22  一種功率晶體管、功率晶體管電路以及其操作方法
23  晶體管驅動電路以及驅動方法
24  制造雙極晶體管的方法、雙極晶體管和集成電路
25  一種薄膜晶體管及其修復方法、GOA電路及顯示裝置
26  尤其通過平衡晶體管感測一對雙信號線上的電壓差的電路和方法
27  包括功率晶體管的電子控制電路和監控功率晶體管的使用壽命的方法
28  共通電壓補償電路、補償方法及其薄膜晶體管液晶顯示器
29  絕緣柵雙極型晶體管的短路保護電路和方法
30  一種用于MOS晶體管模擬集成電路的小信號分析方法
31  場效應晶體管工作點狀態重置電路、方法及其OLED顯示器
32  薄膜晶體管驅動電路及其驅動方法、液晶顯示裝置
33  在功率晶體管中集成自舉電路元件的系統和方法
34  MOS晶體管測試電路及對應的測試方法
35  用于測量晶體管的特性的電壓檢測電路和方法
36  基于薄膜晶體管的微波毫米波集成電路、功率交換電路及其制作方法
37  對雙極型晶體管進行仿真的方法及雙極型晶體管仿真電路
38  電磁諧振控制電路、電磁加熱裝置和晶體管的控制方法
39  確定晶體管的溫度的電路和方法
40  限制電路和用于限制半導體晶體管上的電壓的方法
41  用于具有晶體管片段的集成電路的系統和方法
42  包含氧化物薄膜晶體管的基板、其制造方法及驅動電路
43  具有埋藏鞍形鰭式場效晶體管的SRAM集成電路及其制造方法
44  薄膜晶體管、電路及其制造方法及顯示裝置
45  NMOS晶體管及其形成方法、SRAM存儲單元電路
46  MOS晶體管及其形成方法、SRAM存儲單元電路
47  MOS晶體管及其形成方法、SRAM存儲單元電路
48  一種像素電路及其驅動方法、薄膜晶體管背板
49  包括只讀存儲器(ROM)陣列的第一存儲單元晶體管的集成電路(IC)及其制作方法
50  感測電路與感測并補償晶體管的臨界電壓偏移的方法
51  用于對晶體管進行操控的方法以及操控電路
52  有電流測量單元的集成功率晶體管電路裝置及其制造方法
53  薄膜晶體管的溝道形成方法及補償電路
54  包括場效應晶體管結構的集成電路及其制造和操作方法
55  懸浮柵晶體管及其制作方法、應用方法、顯示器驅動電路
56  功率放大晶體管電路及提高其穩定性的方法
57  雙極晶體管制造方法、雙極晶體管和集成電路
58  晶體管及其制造方法和降低RTS噪聲的圖像傳感器電路
59  將雙極性結型晶體管用于緩沖電路的方法和緩沖電路
60  將雙極性結型晶體管用于緩沖電路的方法和緩沖電路
61  通過三維集成技術制造高性能碳納米管晶體管集成電路的方法
62  具有改進的硅化物厚度均勻性的金屬氧化物半導體場效應晶體管集成電路和其制造方法
63  一種晶體管關鍵參數的可尋址測試電路及其測試方法
64  一種具備快速泄放晶體管寄生電容電荷的開關電路及其電荷泄放方法
65  溝槽式MOS晶體管及其制造方法、集成電路
66  溝槽式MOS晶體管及其制造方法、集成電路
67  半導體器件、制造方法以及晶體管電路
68  包括雙極型晶體管的集成電路及其制造方法
69  半導體晶體管的制造方法、使用了由該方法制造的半導體晶體管的驅動電路、包括該驅動電路和顯示元件的像素電路、該像素電路配置成行列狀的顯示面板、以及具有該顯示面板的顯示裝置
70  控制電路、晶體管的控制系統和方法以及器件
71  用于傳輸晶體管柵極電壓的多電平控制電路、方法及其系統
72  半導體基板、場效應晶體管、集成電路和半導體基板的制造方法
73  異質結雙極晶體管制造方法和包括異質結雙極晶體管的集成電路
74  金屬柵極晶體管、集成電路、系統及其制造方法
75  形成UMOS晶體管和ESD電路的方法
76  提高薄膜晶體管像素充電能力的驅動電路及方法
77  雙極型晶體管參數提取方法及其等效電路
78  非線性電路的晶體管級分段線性建模及模型降階方法
79  開關晶體管驅動信號的脈沖調制方法及脈沖調制電路
80  形成場效晶體管的方法及形成集成電路的方法
81  集成電路、鰭式場效應晶體管及其制造方法
82  雙極結型晶體管、雙極CMOS集成電路及制造方法
83  形成高鍺濃度的硅鍺應力源的方法及集成電路晶體管結構
84  一種鰭型隧穿晶體管集成電路及其制造方法
85  雙極晶體管、雙極晶體管的形成方法及帶隙基準電路
86  雙極晶體管及其形成方法、虛擬接地電路
87  具有高電壓晶體管的集成電路系統及其制造方法
88  金屬柵極晶體管、集成電路以及其制造方法
89  用于使用金屬絕緣體轉變裝置來控制晶體管的輻射熱的方法和電路
90  包含DMOS晶體管的集成電路的制備方法
91  凹陷溝道型PNPN場效應晶體管的集成電路及其制造方法
92  薄膜晶體管電路、其驅動方法和發光顯示裝置
93  鰭型場效應晶體管熔絲的操作方法以及集成電路結構
94  基于頂柵結構有機場效應晶體管集成電路的制備方法
95  用于可編程晶體管陣列的電路和方法
96  晶體管功率放大器的輸入電路和設計這種電路的方法
97  具有倒T形鰭片多重柵晶體管的集成電路結構及形成方法
98  薄膜晶體管電路、發光顯示裝置及其驅動方法
99  晶體管型保護器件、半導體集成電路及其制造方法
100  異質結構場效應晶體管、包括異質結構場效應晶體管的集成電路以及用于制造異質結構場效應晶體管的方法
101  提高低溫下金屬氧化物晶體管耐壓強度的方法和電路裝置
102  GaN場效應晶體管和單片電路臺形接地通孔的制作方法
103  用低壓MOS晶體管耐高壓的解碼電路和實現方法
104  保護雙極性晶體管電路的間隙壁制造方法
105  提高CMOS晶體管抗輻照的方法、CMOS晶體管及集成電路
106  薄膜晶體管陣列電路缺陷修補的實時檢測方法
107  MOS晶體管噪聲模型形成方法、裝置和電路模擬方法
108  形成場效應晶體管的方法、多個場效應晶體管及包括多個存儲器單元的動態隨機存取存儲器電路
109  層壓體、導電性圖案形成方法和由此得到的導電性圖案、印刷電路基板和薄層晶體管、以及使用它們的裝置
110  具有剪裁的電介質的P型場效應晶體管及方法和集成電路
111  晶體管電路與晶體管電路控制方法
112  雙極型晶體管結電容測試電路及測試方法
113  用于驅動放大器輸入晶體管的體電容的電路和方法
114  形成場效晶體管的方法及形成包含晶體管柵極陣列及在所述柵極陣列外圍的電路的集成電路的方法
115  場效應晶體管、包括場效應晶體管的邏輯電路及制造方法
116  集成電路內雙極晶體管性能的調整方法及其制造方法
117  包括離子敏感場效應晶體管的信號處理電路以及監控流體屬性的方法
118  一種打印系統、打印方法以及打印薄膜晶體管和RLC電路的方法
119  晶體管控制電路和控制方法、以及使用該電路的有源矩陣顯示設備
120  柵極驅動電路、具有其的液晶顯示器以及制造薄膜晶體管基板的方法
121  MOS晶體管射頻電路仿真宏模型及其參數提取方法
122  EEPROM外圍電路中高壓NMOS場晶體管的溝道結構及制作方法
123  場效應晶體管、集成電路元件及其制造方法
124  金屬氧化物半導體場效應晶體管保護電路及其制造方法
125  電路圖案、薄膜晶體管及電子設備的制造方法
126  制造平面隔離物以及相關的雙極晶體管及BiCMOS電路裝置的方法
127  用多誤差放大電路的晶體管驅動電路、恒定電壓電路及方法
128  薄膜晶體管陣列及其驅動電路的制造方法
129  薄膜晶體管集成電路裝置、有源矩陣顯示裝置及其制造方法
130  晶體管電路、象素電路、顯示設備及其驅動方法
131  晶體管裝置、集成電路及運行場效應晶體管的方法
132  薄膜晶體管液晶顯示器的驅動電路及其降低功耗方法
133  高電子遷移率晶體管電路T型柵制作方法
134  MOS晶體管、CMOS集成電路器件及相關制造方法
135  薄膜晶體管的制造方法、薄膜晶體管、集成電路、液晶顯示裝置和使用了網目調型掩模的曝光方法
136  具有npn和pnp雙極晶體管的集成電路裝置及相應的制造方法
137  包含隔離溝槽和場效應晶體管的集成電路裝置及相關制造方法
138  縱向雙極晶體管的制造方法和集成電路
139  電路布置和晶體管控制方法
140  晶體管集成電路裝置及其制造方法
141  晶體管和半導體電路的制造方法
142  薄膜晶體管的電路、設計方法和程序、設計程序記錄介質
143  包含電容器及較佳平面式晶體管的集成電路裝置及制造方法
144  具有應變與無應變晶體管的集成電路及其制造方法
145  薄膜晶體管及其制造方法、電路、顯示裝置和電子機器
146  形成具有不同類型的場效應晶體管的集成電路器件的方法
147  集成電路以及形成用于晶體管柵電極的隔離層的方法
148  集成電路晶體管與其形成方法
149  含有場效應晶體管的集成電路及其制造方法
150  集成電路元件與晶體管元件以及微電子元件及其制造方法
151  場效應晶體管、集成電路及制造方法
152  場效應晶體管,集成電路以及形成集成電路的方法
153  薄膜晶體管及其制造方法、其電路、電子器件及電子設備
154  薄膜晶體管顯示器數組的測試電路及方法
155  垂直DMOS晶體管裝置、集成電路及其制造方法
156  薄膜晶體管電路器件及其制造方法、以及液晶顯示設備
157  包括基準電流源晶體管的數字模擬轉換器電路及操作方法
158  場效應晶體管、包括FET的集成電路及其形成方法
159  薄膜晶體管及其電路的制作方法
160  電極及其形成方法、薄膜晶體管、電子電路、顯示裝置
161  絕緣柵型雙極晶體管及其制造方法以及變流電路
162  多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器的電路布局方法
163  一種源漏下陷型超薄體SOIMOS晶體管及其集成電路的制作方法
164  半導體集成電路、電子機器及晶體管的背柵電位控制方法
165  金屬氧化物半導體場效應晶體管的驅動電路和方法
166  薄膜晶體管陣列及其驅動電路的制造方法
167  晶體管的工作點設定方法和電路信號成分值變更方法以及有源矩陣型液晶顯示裝置
168  面向工藝移植的晶體管級集成電路優化方法
169  晶體管、集成電路、電光裝置、電子設備及其制造方法
170  使用電子束輻射形成增強晶體管柵極的方法及包括該晶體管柵極的集成電路
171  引入了晶體管的擴散長度依賴性的電路仿真裝置以及用于生成晶體管模型的方法
172  硅-雙極型晶體管,電路設置和制造硅-雙極型晶體管的方法
173  功率晶體管的補償電路和方法
174  薄膜晶體管液晶顯示器的靜電放電保護電路和方法
175  具有分級基區的橫向晶體管,半導體集成電路及制造方法
176  充電電池保護電路用功率場效應晶體管的覆晶安裝方法
177  具有硅－鍺(Sii－x－Gex)門極MOS晶體管的集成CMOS電路的半導體裝置及其生產方法
178  使用金屬氧化物半導體場效應晶體管的保護電路裝置及其制造方法