應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:SanKen/三墾 | 型號(hào):FML-4204S | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3P
10-99 PCS
￥6.00
≥100 PCS
￥5.50
品牌:杭州國晶 | 型號(hào):MFC1500A800V | 控制方式:可控硅整流管混合 | 極數(shù):三極 | 封裝材料:模塊 | 封裝外形:平底形 | 關(guān)斷速度:高頻(快速) | 散熱功能:不帶散熱片 | 頻率特性:超高頻 | 功率特性:大功率 | 額定正向平均電流:1500（A） | 控制極觸發(fā)電流:100（mA） | 最大穩(wěn)定工作電流:1500（A） | 營銷方式:廠家直銷 | 額定結(jié)溫:125 | 控制極觸發(fā)電壓:1.00V
1-10 個(gè)
￥3900.00
11-100 個(gè)
￥3500.00
≥101 個(gè)
￥3200.00
品牌:進(jìn)口品牌 | 型號(hào):IXFH70N15 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道，N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 營銷方式:拆機(jī) | 最低起批量:1PC
≥1 個(gè)
￥1.20
品牌:進(jìn)口品牌 | 型號(hào):GT40Q321 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道，N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 營銷方式:拆機(jī) | 最低起批量:1PC
≥1 個(gè)
￥1.10
品牌:進(jìn)口品牌 | 型號(hào):GTK45708 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道，N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 營銷方式:拆機(jī) | 最低起批量:1PC
≥1 個(gè)
￥1.20
品牌:進(jìn)口品牌 | 型號(hào):FQA65N20 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道，N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 營銷方式:拆機(jī) | 最低起批量:1PC
≥1 個(gè)
￥1.00
品牌:進(jìn)口品牌 | 型號(hào):IXGH1499 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道，N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 營銷方式:拆機(jī) | 最低起批量:1PC
≥1 個(gè)
￥1.30
品牌:進(jìn)口品牌 | 型號(hào):G10N120 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道，N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 營銷方式:拆機(jī) | 最低起批量:1PC
≥1 個(gè)
￥1.10
≥1 PCS
￥5.95
加工定制:是 | 型號(hào):DH45 | 規(guī)格尺寸:45X18-45（mm） | 材質(zhì):鋁 | 特性:散熱器 | 用途:功率管散熱器 | 品牌:飛旭
10-99 個(gè)
￥2.00
≥100 個(gè)
￥1.50