2SC3356硅超高頻低噪聲功率管是一種基于N型外延層的晶體管。具有高功率增益、低噪聲特性、大動(dòng)態(tài)范圍和理想的電流特性。主要應(yīng)用于超高頻低噪聲功率管主要應(yīng)用于VHJF，UHF，CATV高頻寬帶低噪聲放大器。

參數(shù)

　　類別：NPN-硅通用晶體管
 

　　集電極-發(fā)射極電壓VCEO：12V
 

　　集電極-基極電壓VCBO:20V
 

　　發(fā)射極-基極電壓VEBO:3.0V
 

　　集電極直流電流IC:100mA
 

　　總耗散功率(TA=25℃)Ptot:225mW
 

　　工作結(jié)溫Tj:150℃
 

　　貯存溫度Tstg:-65~150℃
 

　　電性能參數(shù)（TA=25℃）：
 

　　擊穿電壓:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20,V(BR)EBO=3.0
 

　　直流放大系數(shù)hFE:50~300
 

　　集電極-基極截止電流ICBO:100nA(最大值)
 

　　發(fā)射極-基極截止電流IEBO:100nA(最大值)
 

　　特征頻率fT:7.0GHz
 

　　封裝：SOT-23
 

　　功率特性：中功率
 

　　極性：NPN型
 

　　結(jié)構(gòu)：擴(kuò)散型
 

　　材料：硅(Si)
 

　　封裝材料：塑料封裝
 

　　集電極允許電流：0.1（A）
 

　　集電極最大允許耗散功率：0.2（W）