2SC5087NPNTRANSISTOR            
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 
1. 簡述：                         
            本芯片采用硅外延工藝制造，具有高功率增益放大、寬帶以及低噪聲、低漏電流、小結電容特性，較大的動態范圍，理想的電流線性；
            主要應用于超高頻微波、VHF、UHF和CATV高頻寬帶低噪聲放大器中，
如衛星電視調諧器、CATV放大器、模擬數字無繩電話、雷達探測器、射頻模塊和     光纖傳輸中的中繼放大器等產品；
            集電極-發射極擊穿電壓：BV_CEO=12V，最大集電極電流：I_C=80mA,集電極耗散功率：P_C=200mW，特征頻率：f_T=7GHz；
            采用4引腳（寬集電極引腳與雙發射極引腳）的SOT143B和SOT143R表面貼塑封。
 
 
 
 
 
 

  

2.  電參數及規格（Tamb=25℃）：
參數名稱        符號             測試條件        最小值  典型值 最大值   單位
集電極截止電流	ICBO	VCB=6V,IE=0	-	-	0.05	μA
直流電流放大系數	hFE	VCE=6V,IC=20mA	60	120	250
特征頻率	fT	VCE=6V,IC=20mA	-	9	-	GHz
反饋電容	Cre	IC=iC=0,VCB=6V,f=1MHz	-	0.3	-	pF
集電極電容	CC	IE=ie=0,VCB=6V,f=1MHz	-	0.6	-	pF
發射極電容	Ce	IC=iC=0,VEB=0.5V,f=1MHz	-	1.0	-	pF
插入功率增益	∣S21∣2	IC=20mA,VCE=6V,f=900MHz	17	18	-	dB
噪聲系數	NF	VCE=6V,IC=5mA,f=900MHz	-	1.1	1.6	dB
		VCE=6V,IC=20mA,f=900MHz	-	1.6	2.1	dB
		VCE=8V,IC=5mA,f=2GHz	-	1.9	-	dB
最大單邊功率增益	GUM	IC=20mA,VCE=6V,f=900MHz	-	19	-	dB
		IC=20mA,VCE=6V,f=2GHz	-	13	-	dB