詳細信息
█極限值（Ta=25℃）
Tstg——貯存溫度……………………………………-55~150℃ Tj——結溫…………………………………………………150℃ PC——集電極耗散功率……………………………………10W VCBO——集電極—基極電壓………………………………40V VCEO——集電極—發射極電壓……………………………20V VEBO——發射極—基極電壓………………………………8V IC——集電極電流……………………………………………6A |
█電參數（Ta=25℃）
符 號 說 明 | 符 號 | 測 試 條 件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單 位 |
集電極—基極截止電流 | ICBO | VCB=40V,IE=0 | 100 | nA | ||
發射極—基極截止電流 | IEBO | VEB=8V,IC=0 | 100 | nA | ||
集電極—發射極擊穿電壓 | VCEO | IC=10mA, IB=0 | 20 | V | ||
直流電流增益 | hFE1 | VCE=2V, IC=500mA | 140 | 600 | ||
hFE2 | VCE=2V, IC=5A | 70 | ||||
集電極—發射極飽和壓降 | VCE(sat) | IC=6A, IB=150mA | 1 | V | ||
基極—發射極電壓 | VBE | IC=4A, VEE=2V | 1.5 | V | ||
電流增益帶寬乘積 | fT | VCE=2V, IC=0.5A | 100 | MHz | ||
共基極輸出電容 | COB | VCB=10V,IE=0,f=1MHz | 40 | pF |