·Features
1)Maximum optical power output :_90 mW(cw)
2)High power (pulse MAX  280mW)
3)Wavelength ：TYP=650nm
4)High coupling efficiency,The ellipticity (Θ丄/Θ〢)is close to ±2.0.
5)5.6mm package.TO-18

 
·Absolute Maximum Ratings 
    Parameter/Symbol -------Rating/Unit
1）Light output power/cw-----90mw
2）Light output power/pulse--280mw
3）Reverse voltage/VRL-------  2V
4）Case temperature/Tc------- -10~+80℃
5）Storage temperature/Tstg-- -40~+80℃

 
·Electrical/optical Characteristics(Tc=25℃)
  Parameter/-----Symbol-Testconditions-Min/Typ/Max-Unit
1)Threshold current/ith-----cw--------30_/45_/80_-mA
2)Operating current/iop-cw,po=90mw--115/130/170-mA
3)Operating voltage/vop-cw,po=90mw--2.0/2.5/3.0-V
4)Slope efficiency/--h--cw,po=90mw--0.6/0.9/1.2-mw/mA
5)Peak wavelength/--λp--cw,po=90mw--656/661/664-nm
6)Beam divergence angle-cw,po=90mw---2_/_0_/+2_-(parallel/Θ丄)
7)Beam divergence angle-cw,po=90mw---2_/-0-/+2_-(perpendicular/Θ〢)
 
半導體激光二極管LD在工作中易退化的四大原因
 
半導體激光二極管LD本身比較嬌嫩，從它剛出現就面臨著使用壽命的問題，經過不斷的研究改進，目前激光二極管LD的壽命可達1萬小時，以能夠滿足光纖通信使用的需要。激光二極管LD在工作中易退化的原因主要有以下幾個方面：
1，半導體激光二極管LD的管芯極小，工作電流密度和光功率密度很高，而作為激光物質的半導體單晶材料又較容易發生缺陷，這些缺陷在電和光的作用下逐漸發展，從而引起器件性能的退化。
2，半導體激光二極管LD的鏡面是用解理工藝形成的，鏡面本身受到環境條件影響而污染也會也會導致激光二極管LD性能退化。
3，激光二極管LD的管芯焊接也是關鍵技術，管芯焊在熱沉之上，而有源去距離熱沉只有幾微米；半導體激光二極管LD工作會發熱，如果焊料太多，受熱時會發生緩慢的攀移，使半導體激光二極管LD發生短路，導致激光二極管LD退化。
4，隨著工作時間的延長，激光二極管LD的閾值電流會緩慢增加，從而導致激光二極管LD退化。