IGBT專用高頻吸收電容 0.47UF 1200VDC

 
 
 
產生及工藝：
 
 
 
現代變速傳動用靜態變頻器，其中半導體的開關作用產生很多的寄生信號，因此，在線路中需要電容器進行濾波、消除紋波和諧波。該自愈式金屬化薄膜電容器可以作為中間電路的直流連接和諧波濾波用，同時，也可作為控制電路中的嵌位及吸收電容器。
 
 
 
電容器原材料膜，經過特殊的金屬化鍍層—浙變方阻。通過在聚丙烯基膜的一面上進行特殊的真空蒸鍍工藝，使鍍層的厚度在薄膜的不同位置是產生不同的厚度。
 
 
 
連接引出處，增加鍍層度可以大大提高電容器處理大電流能力。而特殊的金屬化鍍層的結構使得自愈性能和串聯電阻變得更為合理，其實際的結構構造使得電容器的性能發揮的更加徹底。同時保證了容量的穩定和精度，電感量低，大幅提高了耐大電壓、涌流的強度。
 
 
 
n     技術參數Technical
Specification
 
 
 
 
 

額定容量Capacitance C (μF)	4.0μ   40μF	10μF	20μF	50μF	3μF
額定電壓Rated DC voltage Un (V)	1250VDC	1400VDC	1400VDC	350VDC	500VAC
最大電流Max rms Current Imax   (A)	40A	18A	35A	35A	45A
電容量偏差 Capacitance tolerance（J）：	±5%	±5%	±5%	±5%	±5%
dv/dt (V/μs)	20.0	20.0	20.0	20.0	800
自感量Self Inductance Rs (nH)	≤10	≤10	≤10	≤10	≤10
端子間測試電壓Ut-t（V）	1250V, 10S	1800V, 10S	1800V, 10S	600V, 10S	1800V, 10S
端子與外殼間測試電壓Ut-c (V):	3000VAC, 60S	3000VAC, 60S	3000VAC, 60S	3000VAC, 60S	3000VAC, 60S
體積Size(mm)	74*46*49	ф50×60	ф50×60	ф50×60	50*44*50
損耗角正切：tgδ (20℃,10kHz)	≤100×10-4	≤30×10-4	≤50×10-4	≤55×10-4	≤10×10-4

n 外形圖Outline Drawing