概述：　　IRF640屬于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF640為設計者提供了轉換快速、堅固耐用、低導通阻抗和高效益的強力組合。
 

　　TO-220封裝的IRF640普遍適用于功耗在50W左右的工商業應用，低熱阻和低成本的TO-220封裝，使IRF640得到業內的普遍認可。D2PAK封裝的IRF640適用于貼片安裝，比起現有的任何其他貼片封裝，可說是功率最高，導通阻抗最低。IRF640的D2PAK封裝可適應高強度電流的應用。IRF640的TO-262則適用于低端通孔安裝。
 

基本參數：

　　IRF640，采用TO-220AB 封裝方式。
 

　　晶體管極性:N溝道
 

　　漏極電流, Id 最大值:18A
 

　　電壓, Vds 最大:200V
 

　　開態電阻, Rds(on):0.15ohm
 

　　電壓 @ Rds測量:10V
 

　　電壓, Vgs 最高:4V
 

　　功耗:150W
 

　　封裝類型:TO-220AB
 

　　針腳數:3
 

　　功率, Pd:150W
 

　　封裝類型:TO-220AB
 

　　晶體管類型:MOSFET
 

　　熱阻, 結至外殼 A:1°C/W
 

　　電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
 

　　電壓, Vds 典型值:200V
 

　　電流, Id 連續:18A
 

　　電流, Idm 脈沖:72A
 

　　表面安裝器件:通孔安裝
 

　　閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
 

　　閾值電壓, Vgs th 最高:4V

特性：

　　貼片安裝 IRF640S
 

　　可選卷帶包裝 IRF640S
 

　　低端通孔安裝 IRF640L
 

　　動態dv/dt率
 

　　150℃工作溫度 IRF640S、IRF640L
 

　　快速轉換速率
 

　　可恢復性雪崩測定
 

　　并行簡易
 

　　僅需簡單驅動
 

　　無鉛環保
 

 

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