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應用范圍:放大 | 品牌:其他 | 型號:見標題 | 封裝形式:SMD

應用范圍:功率 | 品牌:其他 | 型號:K1101 2SK1101 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-220

品牌:IR/ST/SEC | 型號:K1101 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插

類型:通信IC | 品牌:N/A | 型號:K1101 | 封裝:TO-220 | 批號:拆機.散新

應用范圍:功率 | 品牌:進口 | 型號:K1101 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 極性:NPN型 | 結構:平面型 | 封裝材料:塑料封裝

應用范圍:放大 | 品牌:其他 | 型號:見標題 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SMD

應用范圍:帶阻尼 | 品牌:TOSHIBA | 型號:RN1101FT | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-623/TESM | 極性:PNP | 基極-發射極輸入電阻R2:4.7KΩ/Ohm | 基極輸入電阻R1:4.7KΩ/Ohm

應用范圍:帶阻尼 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:RN1101 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.1 | 集電極最大允許電流ICM:0.1 | 截止頻率fT:250

應用范圍:功率 | 品牌:FEC | 型號:K1101 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:z | 擊穿電壓VCBO:x | 極性:NPN型

應用范圍:功率 | 品牌:FEC | 型號:K1101 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:s | 擊穿電壓VCBO:s | 極性:NPN型