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應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:國產(chǎn) | 型號:SC1623 L6/ L7 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0。25 | 集電極最大允許電流ICM:0。3 | 截止頻率fT:1

產(chǎn)品類型:其他 | 是否進(jìn)口:否 | 品牌:三聯(lián)盛 | 型號:2SC1623 | 材料:硅(Si)

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:DIODES/美臺(tái) | 型號:DMP3100L-7 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:- | 集電極最大允許電流ICM:- | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:- | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:-

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2SC1623 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:200M | 集電極最大允許電流ICM:100M | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:250+ | 結(jié)構(gòu):外延型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:50

應(yīng)用范圍:振蕩 | 品牌:B10NK60Z 19NF20 G7S313U G4PC40K G4PC40KD-E | 型號:15N41CL K20T60 TDA8177F RJH30E2 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 截止頻率fT:1

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2SC1623 L7 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 極性:NPN型 | 結(jié)構(gòu):平面型 | 封裝材料:陶瓷封裝 | 是否提供加工定制:否

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SC1623-T1B-A-L7 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:- | 集電極最大允許電流ICM:- | 極性:PNP型

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:Littelfuse/力特 | 型號:S2008DS3 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 極性:NPN型 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 封裝材料:玻璃封裝

品牌:Littelfuse/力特 | 型號:Q8010NH5 | 控制方式:其他 | 封裝材料:玻璃封裝 | 封裝形式:貼片型 | 極性:NPN型 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 材料:硅(Si) | 應(yīng)用范圍:功率

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2SC1623 | 材料:硅(SI) | 封裝形式:貼片型 | 擊穿電壓VCBO:60 | 極性:NPN型 | 是否提供加工定制:是

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2SC1623 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2SC1623 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:200M | 集電極最大允許電流ICM:100M | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:250 | 結(jié)構(gòu):外延型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:50

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2SC1623 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23