MOSFET簡介

它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導體三種材料制成的器件。MOSFET共有三個腳，一般為G(柵極)、S(源極)及D(漏極)，通過G、S間加控制信號時可以改變D、S間的導通和截止。
功率MOSFET是一種多子導電的單極型電壓控制器件，具有開關速度快、高頻特性好、熱穩定性優良、驅動電路簡單、驅動功率小、安全工作區寬、無二次擊穿問題等顯著優點。
自1976年開發出功率MOSFET以來，由于半導體工藝技術的發展，它的性能不斷提高：
如高壓功率MOSFET其工作電壓可達1000V；低導通電阻MOSFET其阻值僅lOmΩ；工作頻率范圍從直流到達數兆赫；保護措施越來越完善。并開發出各種貼片式功率MOSFET，另外，價格也不斷降低，使應用越來越廣泛，不少地方取代雙極型晶體管。
電壓控制元件
三極管基極與發射極間內阻較小，并且基極電流與集電極電流有對應關系，所以說三極管是電流控制元件。場效應管在控制端與漏極源極間電阻很大，幾乎無電流，而靠控制極上施加的電壓大小引起漏源極間電流發生變化，所以說場效應管是電壓控制元件。
功率MOSFET的特點
功率MOSFET與雙極型功率相比具有如下特點：
1．MOSFET是電壓控制型器件(雙極型是電流控制型器件)，因此在驅動大電流時無需推動級，電路較簡單；
2．輸入阻抗高，可達108Ω以上；
3．工作頻率范圍寬，開關速度高(開關時間為幾十納秒到幾百納秒)，開關損耗小；
4．有較優良的線性區，并且MOSFET的輸入電容比雙極型的輸入電容小得多，所以它的交流輸入阻抗極高；噪聲也小，最合適制作Hi-Fi音響；
5．功率MOSFET可以多個并聯使用，增加輸出電流而無需均流電阻。
型號介紹
MOSFET主要性能指標：電流、電壓、內阻
KIA設計生產的MOSFET以具有低內阻、高耐壓、快速開關、雪崩能量高等特點，設計電流跨度1A~200A，電壓跨度30V~1200V。我們可以根據客戶的應用領域和應用方案的不同，對MOSFET本身的電性參數做出適當的調整，提高客戶產品的可靠性、整體轉換效率和產品的價格競爭力.
應用領域
開關電源、逆變器、安定器、電焊機
LED驅動電源、電動工具充電器、UPS
電動車控制板、手機充電器、汽車功放等
 



 



KIA以IR技術研發人員為核心的團隊所創建的一個品牌。該品牌在韓國設立研發中心，主要生產MOS管，三端穩壓IC,快恢復二極管.
MOS系列: 4N60 4N65 7N60 7N65 8N60 10N60 10N65 12N60 12N65 9N90 50N03 50N06 65N06 13N50 18N50 20N50 730 740 830 840 75NF75 3710 3N80 7N80 2301 2302 9435
三端穩壓系列：78L05-78L24 79L05-79L24 133-3.3A/B/C 1117-3.3/2.5/5.0/ADJ  431
快恢復系列：08TB60 MUR860 08TB70 10TB60 15TB60
封裝形式有TO-252 TO-220 SOT-223 SOT-89 SOT-23 TO-220F TO-251 TO-247 TO-263 SOP8
產品主要應用于電源，控制器，HID安定器，LED驅動，電表，UPS，電焊機，逆變器等產品類上。
產品均通過SGS驗證?？纱肍SC，KEC，ST，IR，ON等品牌。
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