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DFE252010F-1R0M=P2

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封裝
批號
價格
說明
操作

DFE252010F-1R0M=P2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
6000
Murata Electronics North
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百正品

DFE252010F-1R0M=P2
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/周小姐/高先生
電話：134878658521376027201718520805148
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
38852
Murata Electronics
最新批次
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

DFE252010F-1R0M=P2
深圳市亞泰盈科電子有限公司
深圳市亞泰盈科電子有限公司
聯系人：鄭女士
電話：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田區佳和大廈B座1010
資質：營業執照
215610
muRata(村田)
1008
2025+
-

DFE252010F-1R0M=P2
北京天陽誠業科貿有限公司
北京天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
5004
MURATA
con
24+
-
電感器

DFE252010F-1R0M=P2
廣東濟德精密電子有限公司
廣東濟德精密電子有限公司
聯系人：吳
電話：18724450645
地址：東莞市大朗鎮松木山村德利路1號2棟2樓
6000
MURATA
NA
20220801
-
現貨！就到京北通宇商城

DFE252010F-1R0M=P2
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業執照
5004
MURATA
con
24+
-
電感器

DFE252010F-1R0M=P2
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
TOKO
SMD
最新批號
-
代理此型號，原裝特價現貨！！

DFE252010F-1R0M=P2
深圳市品業電子有限公司
深圳市品業電子有限公司
聯系人：李小姐
電話：0755-23895664
地址：華強街道振華路深紡大廈C座2樓2H55
50169
T
SMD
咨詢
-
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DFE252010F-1R0M=P2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

DFE252010F-1R0M=P2 PDF下載

功能描述
1μH Shielded Inductor 3.1A 48 mOhm Max 1008 (2520 Metric)
制造商
murata electronics north america
系列
DFE252010F
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
類型
-
材料 - 磁芯
鐵粉
電感
1μH
容差
±20%
額定電流
3.1A
電流 - 飽和值
4.6A
屏蔽
屏蔽
DC 電阻（DCR）
48 毫歐最大
不同頻率時的 Q 值
-
頻率 - 自諧振
-
等級
-
工作溫度
-40°C ~ 125°C
頻率 - 測試
1MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
1008（2520 公制）
大小/尺寸
0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）
高度 - 安裝（最大值）
0.039"（1.00mm）
標準包裝
1

DFE252010F-1R0M=P2 技術參數

DFE252010F-100M=P2 功能描述:10μH Shielded Inductor 900mA 600 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010F 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉電感:10μH 容差:±20% 額定電流:900mA 電流 - 飽和值:1.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:600 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 DFE252008C-R47M=P2 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 3A 60 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252008C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:470nH 容差:±20% 額定電流:3A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:60 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.031"（0.80mm）標準包裝:1 DFE252008C-4R7M=P2 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 438 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252008C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:438 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.031"（0.80mm）標準包裝:1 DFE252008C-3R3M=P2 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 1.3A 252 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252008C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:1.3A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:252 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.031"（0.80mm）標準包裝:1 DFE252008C-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 1.6A 180 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252008C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:1.6A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:180 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.031"（0.80mm）標準包裝:1 DFE252010F-R82M=P2 DFE252010P-1R0M=P2 DFE252010P-1R2M=P2 DFE252010P-1R5M=P2 DFE252010P-2R2M=P2 DFE252010P-3R3M=P2 DFE252010P-4R7M=P2 DFE252010P-R33M=P2 DFE252010P-R47M=P2 DFE252010P-R68M=P2 DFE252010R-H-1R0M=P2 DFE252010R-H-1R5M=P2 DFE252010R-H-2R2M=P2 DFE252010R-H-4R7M=P2 DFE252012F-100M=P2 DFE252012F-1R0M=P2 DFE252012F-1R5M=P2 DFE252012F-2R2M=P2

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