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ES2LG M4G

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ES2LG M4G 技術參數

ES2JTR 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 2A SMA 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.7V @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AC，SMA 供應商器件封裝:SMA（DO-214AC）工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 ES2GTR 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 2A SMA 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AC，SMA 供應商器件封裝:SMA（DO-214AC）工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 ES2DVRX 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 2A SOD123W 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:950mV @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200nA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:20pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123W 供應商器件封裝:SOD-123W 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 ES2DTR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 2A SMA 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:950mV @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AC，SMA 供應商器件封裝:SMA（DO-214AC）工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 ES2DRX 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 2A SOD123W 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:980mV @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200nA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:17pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123W 供應商器件封裝:SOD-123W 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 ES2P41653 ES2P41653001 ES2S41653 ES2S41653001 ES2-THB ES3266 ES3277 ES3299 ES3A ES3A M6G ES3A R7G ES3A V6G ES3A V7G ES3A-13 ES3A-13-F ES3AB-13 ES3AB-13-F ES3A-E3/51T