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FR19S1-R2M02

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FR19S1-R2M02 技術參數

FR16K05 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 16A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:16A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 16A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:500ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5 FR12M05 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:12A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:800mV @ 12A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:500ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5 FR12JR02 功能描述:DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:12A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:800mV @ 12A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:250ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5 FR12G05 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 12A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:12A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:800mV @ 12A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:500ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5 FR1113F-TR 功能描述:Red 626nm LED Indication - Discrete 1.9V 2-SMD, No Lead 制造商:stanley electric co 系列:1113F 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期顏色:紅透鏡顏色:白透鏡透明度:散射毫燭光等級:50mcd 透鏡樣式/尺寸:矩形，帶圓頂，1.70mm x 0.60mm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.9V 電流 - 測試:20mA 視角:134°，150° 安裝類型:表面貼裝，直角波長 - 主:626nm 波長 - 峰值:635nm 特性:- 封裝/外殼:2-SMD，無引線供應商器件封裝:- 大小/尺寸:2.10mm 長 x 1.00mm 寬高度（最大值）:0.60mm 標準包裝:1 FR1A-13-F FR1ACPS01 FR1ACPSSERV-0A FR1ACPSSERV-0B FR1ATA FR1A-TP FR1B-13 FR1B-13-F FR1BTA FR1B-TP FR1D-13 FR1D-13-F FR1DTA FR1D-TP FR1G-13 FR1G-13-F FR1GTA FR1G-TP