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FW384WFIN1

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說(shuō)明
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FW384WFIN1
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-621049316210489162104578
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
Pericom
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
假一罰十，原裝正品

FW384WFIN1
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

FW384WFIN1
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
聯(lián)系人：駱小姐
電話：18124020586
地址：深圳市龍崗區(qū)雅寶路1號(hào)星河world， A棟2203A
391337
Diodes Incorporated
最新批次
-
全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

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1

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FW384WFIN1 技術(shù)參數(shù)

FW349-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 45V 5A/4.5A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:45V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A，4.5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:37 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:860pF @ 20V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW342-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A，5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:33 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:850pF @ 10V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW248-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 45V 6A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:45V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1040pF @ 20V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW231A-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 8A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:21nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1530pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW1120G01 功能描述:General Purpose Relay DPDT (2 Form C) Chassis Mount 制造商:te connectivity aerospace, defense and marine 系列:軍用，MIL-R-5757/10，F(xiàn)W，CII 包裝:散裝零件狀態(tài):在售繼電器類(lèi)型:通用線圈類(lèi)型:無(wú)鎖存線圈電流:- 線圈電壓:26.5VDC 觸頭外形:DPDT（2 C 型）額定接觸（電流）:2A 開(kāi)關(guān)電壓:28VDC - 標(biāo)稱(chēng) 導(dǎo)通電壓（最大值）:13 VDC 關(guān)閉電壓（最小值）:2.3 VDC 工作時(shí)間:6ms 釋放時(shí)間:6ms 特性:- 安裝類(lèi)型:底座安裝端子類(lèi)型:焊接鉤觸頭材料:- 線圈功率:- 線圈電阻:- 工作溫度:-65°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW-39-01-F-D-350-075 FW-39-01-F-D-350-100 FW-39-01-F-D-425-065 FW-39-01-F-D-425-075 FW-39-01-F-D-425-100 FW-39-01-G-D-200-065 FW-39-01-G-D-200-075 FW-39-01-G-D-200-100 FW-39-01-G-D-250-065 FW-39-01-G-D-250-075 FW-39-01-G-D-250-100 FW-39-01-G-D-350-065 FW-39-01-G-D-350-075 FW-39-01-G-D-350-100 FW-39-01-G-D-425-065 FW-39-01-G-D-425-075 FW-39-01-G-D-425-100 FW-39-01-L-D-200-065

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