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IDT71256L25Y8

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

IDT71256L25Y8
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：譚玉麗
電話：19129491949(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83267816
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
10001
IDT, Integrated Device Te
28-BSOJ
12+
-
授權(quán)分銷現(xiàn)貨熱賣

IDT71256L25Y8
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人：銷售部：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區(qū)福華路世貿(mào)廣場(chǎng)C座1106/香港辦事處:香港大理石
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
369
IDT, Integrated Device Te
28-SOJ
25+
-
真實(shí)的資源竭誠服務(wù)您！

IDT71256L25Y8
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-621049316210489162104578
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
IDT, Integrated Device Te
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
假一罰十

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功能描述
IC SRAM 256KBIT 25NS 28SOJ
RoHS
否
類別
集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器
系列
-
產(chǎn)品變化通告
Product Discontinuation 26/Apr/2010
標(biāo)準(zhǔn)包裝
136
系列
-
格式 - 存儲(chǔ)器
RAM
存儲(chǔ)器類型
SRAM - 同步，DDR II
存儲(chǔ)容量
18M（1M x 18）
速度
200MHz
接口
并聯(lián)
電源電壓
1.7 V ~ 1.9 V
工作溫度
0°C ~ 70°C
封裝/外殼
165-TBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝
165-CABGA（13x15）
包裝
托盤
其它名稱
71P71804S200BQ

IDT71256L25Y8 技術(shù)參數(shù)

IDT71256L25Y 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 28SOJ RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT71256L20Y8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28SOJ RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT71256L20Y 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28SOJ RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT71124S20YI8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 32SOJ RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT71124S20YI 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 32SOJ RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT71256SA12PZI8 IDT71256SA12TP IDT71256SA12Y IDT71256SA12Y8 IDT71256SA12YGI IDT71256SA12YGI8 IDT71256SA12YI IDT71256SA12YI8 IDT71256SA15PZ IDT71256SA15PZ8 IDT71256SA15PZI IDT71256SA15PZI8 IDT71256SA15TP IDT71256SA15TPI IDT71256SA15Y IDT71256SA15Y8 IDT71256SA15YI IDT71256SA15YI8

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