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IX61-A-8P

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IX61-A-8P
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
聯(lián)系人：駱小姐
電話(huà)：18124020586
地址：深圳市龍崗區(qū)雅寶路1號(hào)星河world， A棟2203A
647326
Hirose Electric Co Ltd
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-
全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

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IX61-A-8P 技術(shù)參數(shù)

IX4R11S3T/R 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 4 Amps 35V 3.7 Rds RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類(lèi)型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IX4R11S3 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-SOIC RoHS:是類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端輸入類(lèi)型:非反相延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件其它名稱(chēng):*IR2127 IX4R11P7 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 4A 14-PDIP RoHS:是類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端輸入類(lèi)型:非反相延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件其它名稱(chēng):*IR2127 IX4R11M6T/R 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 4 Amps 35V 3.7 Rds RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類(lèi)型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IX4R11M6 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 4 Amps 35V 3.7 Rds RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類(lèi)型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IX6R11S6T/R IX6S11S6 IX6S11S6T/R IX9907N IX9907NTR IX9908-EVAL IX9908N IX9908NTR IXA12IF1200HB IXA12IF1200PB IXA12IF1200TC IXA17IF1200HJ IXA20I1200PB IXA20IF1200HB IXA20PG1200DHGLB IXA20PG1200DHGLB-TRR IXA20RG1200DHGLB IXA20RG1200DHGLB-TRR

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