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IXDN602SITR

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

IXDN602SITR
深圳市興合盛科技發展有限公司
深圳市興合盛科技發展有限公司
聯系人：銷售部：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區福華路世貿廣場C座1106/香港辦事處:香港大理石
資質：營業執照
369
IXYS Integrated Circuits
8-SOIC-EP
25+
-
真實的資源竭誠服務您！

IXDN602SITR
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-621049316210489162104578
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
IXYS Integrated Circuits
標準封裝
16+
-
假一罰十

IXDN602SITR
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
497737
IXYS Integrated Circuits
最新批次
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

IXDN602SITR
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
IXYS INTE
1521+
-
全新原裝現貨

IXDN602SITR
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：譚玉麗
電話：19129491949(手機優先微信同號)0755-83267816
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
10001
IXYS Integrated Circuits
8-SOIC（0.154"，3.90mm
12+
-
授權分銷現貨熱賣

1/1頁 40條/頁共17條
1

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IXDN602SITR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

IXDN602SITR PDF下載

功能描述
2A 8SOIC EXP MTL DUAL NON INVERT
RoHS
是
類別
集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關
系列
-
標準包裝
50
系列
-
配置
低端
輸入類型
非反相
延遲時間
40ns
電流 - 峰
9A
配置數
1
輸出數
1
高端電壓 - 最大（自引導啟動）
-
電源電壓
4.5 V ~ 35 V
工作溫度
-40°C ~ 125°C
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA
供應商設備封裝
TO-263
包裝
管件

IXDN602SITR 技術參數

IXDN602SIATR 功能描述:2A 8 LEAD SOIC DUAL NON INVERTIN RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應商設備封裝:TO-263 包裝:管件 IXDN602SIA 功能描述:DUAL LOW SIDE MOSFET DRIVER RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨立輸入類型:非反相延遲時間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數:1 輸出數:2 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:管件產品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF) IXDN602SI 功能描述:MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:95 系列:- 配置:半橋輸入類型:PWM 延遲時間:25ns 電流 - 峰:1.6A 配置數:1 輸出數:2 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:118V 電源電壓:9 V ~ 14 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:管件產品目錄頁面:1282 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:*LM5104M*LM5104M/NOPBLM5104M IXDN602PI 功能描述:MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-DI RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨立輸入類型:非反相延遲時間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數:1 輸出數:2 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:管件產品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF) IXDN602D2TR 功能描述:IC GATE DVR 2A DUAL HS 8DFN RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應商設備封裝:TO-263 包裝:管件 IXDN609SIA IXDN609SIATR IXDN609SITR IXDN609YI IXDN614CI IXDN614PI IXDN614SI IXDN614SITR IXDN614YI IXDN630CI IXDN630MCI IXDN630MYI IXDN630YI IXDN75N120 IXDP20N60B IXDP20N60BD1 IXDP35N60B IXDP610PI