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2SA879Q/R

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2SA879Q/R 技術參數

2SA854STPR 功能描述:TRANS PNP 32V 0.5A SPT 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-72 成形引線供應商器件封裝:SPT 標準包裝:5,000 2SA854STPQ 功能描述:TRANS PNP 32V 0.5A SPT 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-72 成形引線供應商器件封裝:SPT 標準包裝:5,000 2SA733P_D26Z 功能描述:TRANS PNP 50V 0.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，6V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2SA733P 功能描述:TRANS PNP 50V 0.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，6V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2SA608NG-NPA-AT 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A NPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:280 @ 1mA，6V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-226AA 標準包裝:1,500 2SA949-Y,F(J 2SA949-Y,ONK-1F(J 2SA949-Y,ONK-1F(M 2SA965-O(TE6,F,M) 2SA965-O,F(J 2SA965-Y(F,M) 2SA965-Y(T6CANO,FM 2SA965-Y,F(J 2SA965-Y,SWFF(M 2SA965-Y,T6F(J 2SA965-Y,T6KOJPF(J 2SAR293P5T100 2SAR293PFRAT100 2SAR293PT100 2SAR340PT100P 2SAR340PT100Q 2SAR502EBTL 2SAR502UBTL

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