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AON6276

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說明
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AON6276
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
AOS
DFN5x6
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

AON6276
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
聯系人：汪小姐
電話：19240207240
地址：華強北都會軒4507
資質：營業執照
30000
AOS/萬代
DFN56
24+
-
原裝正品，可含稅供應。品質保障

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功能描述
MOSFET N-CHANNEL 80V 100A 8DFN
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
AlphaSGT?
零件狀態
在售
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
80V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
100A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
100nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
4940pF @ 40V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
215W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
2.6 毫歐 @ 20A，10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
8-DFN（5x6）
封裝/外殼
8-PowerSMD，扁平引線
標準包裝
3,000

AON6276 技術參數

AON6270 功能描述:MOSFET N-CH 75V 85A DFN5X6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:31.5A（Ta），85A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.9 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:85nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4100pF @ 37.5V 功率 - 最大值:7.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:8-DFN（5x6）標準包裝:1 AON6268 功能描述:MOSFET N-CH 60V 44V 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:44A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:65nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2520pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:56W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.7 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TA）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-DFN（5x6）封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線標準包裝:1 AON6266E 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 24A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:24A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:755pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:26W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13.2 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-DFN（5x6）封裝/外殼:8-PowerVDFN 標準包裝:3,000 AON6266_101 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 30A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:15nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1340pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:38W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-DFN（5x6）封裝/外殼:8-PowerVDFN 標準包裝:3,000 AON6266 功能描述:MOSFET N-CH 60V 13A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13A（Ta），30A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1340pF @ 30V 功率 - 最大值:5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:8-DFN（5x6）標準包裝:1 AON6312 AON6314 AON6354 AON6358 AON6360 AON6362 AON6366E AON6368 AON6368P AON6370 AON6370_001 AON6370_002 AON6370P AON6372 AON6380 AON6382 AON6384 AON6400