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AON6382

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說明
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AON6382
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
15000
AOS
DFN
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

AON6382/IM1813
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
INGREY
PDFN5x6-8L
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

AON6382
東莞鼎岑科技有限公司
東莞鼎岑科技有限公司
聯系人：莫
電話：18925581989
地址：廣東省東莞市塘廈鎮林村大道445號北鉅業大夏319室
20000
AOS
DFN
-

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AON6382 PDF下載

功能描述
MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
零件狀態
在售
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
85A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
65nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
3100pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
50W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
1.85 毫歐 @ 20A，10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
8-DFN（5x6）
封裝/外殼
8-PowerSMD，扁平引線
標準包裝
3,000

AON6382 技術參數

AON6380 功能描述:MOSFET N-CH 30V 24V 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:3,000 AON6372 功能描述:MOSFET N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:最後搶購 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:47A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12.8nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:830pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:26W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.2 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-DFN（5x6）封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線標準包裝:3,000 AON6370P 功能描述:MOSFET N-CH 30V 23A DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件狀態:過期標準包裝:1 AON6370_002 功能描述:MOSFET N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:23A（Ta），47A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:13nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:840pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:6.2W（Ta），26W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.2 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-DFN（5x6）封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤標準包裝:3,000 AON6370_001 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8DFN 5X6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:23A（Ta），47A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:13nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:840pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:6.2W（Ta），26W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.2 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-DFN（5x6）封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤標準包裝:3,000 AON6408L AON6410 AON6411 AON6411_001 AON6413 AON6414A AON6414AL AON6414G AON6416 AON6418 AON6424 AON6424A AON6426 AON6428_103 AON6428L AON6435 AON6442 AON6444

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