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APT100GT60JRDL

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APT100GT60JRDL
香港新鵬輝電子有限公司
香港新鵬輝電子有限公司
聯(lián)系人：銷售經(jīng)理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區(qū)福華路世界貿(mào)易廣場(chǎng)C座1106
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
26550
APT
正品封裝
25+
-
正規(guī)商現(xiàn)貨供應(yīng)

APT100GT60JRDL
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號(hào)
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
ISOTOP，SOT-227
25+
-
國產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube

APT100GT60JRDL 技術(shù)參數(shù)

APT100GT60JR 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 148A 500W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:148A 功率 - 最大值:500W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:25μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:5.15nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT100GT60B2RG 功能描述:IGBT NPT 600V 148A 500W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:148A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):300A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，100A 功率 - 最大值:500W 開關(guān)能量:3.25mJ（開）， 3.125mJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:460nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:40ns/320ns 測(cè)試條件:400V，100A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT100GT120JU3 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 140A 480W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:140A 功率 - 最大值:480W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:5mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:7.2nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT100GT120JU2 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 140A 480W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:140A 功率 - 最大值:480W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:5mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:7.2nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT100GT120JRDQ4 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 123A 570W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:123A 功率 - 最大值:570W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.7V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:7.85nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT-106-T APT10DC120HJ APT10M09B2VFRG APT10M11B2VFRG APT10M11JVRU2 APT10M11JVRU3 APT10SCD120B APT10SCD120BCT APT10SCD120K APT10SCD65K APT10SCD65KCT APT10SCE120B APT10SCE170B APT11F80B APT11F80S APT11GF120BRDQ1G APT11GF120KRG APT11N80BC3G

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