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APT20GN60SDQ2G

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操作

APT20GN60SDQ2G
現貨
集好芯城
集好芯城
聯系人：陳先生13360533550
電話：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田區華富路航都大廈11F
資質：營業執照
17496
MICROSEMI/美高森美
NA
22+
-
原廠原裝現貨

APT20GN60SDQ2G
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
TO-268-3
23+
-
微芯專營優勢產品

APT20GN60SDQ2G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
5000
Microchip Technology
TO-268-3，D?Pak（2 引線
21+
-
質量保真，價格實惠，假一罰十

1/1頁 40條/頁共2條
1

您是不是要找： APT20GT60BRDQ1G APT20GT60BRG APT20M11JVFR APT20M11JVR APT20M120JCU2 APT20M120JCU3 APT20M19JVR APT20M22B2VFRG APT20M22B2VRG

APT20GN60SDQ2G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT20GN60SDQ2G 技術參數

APT20GN60BG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 40A 136W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，20A 功率 - 最大值:136W 開關能量:230μJ（開），580μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:120nC 25°C 時 Td（開/關）值:9ns/140ns 測試條件:400V，20A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT20GN60BDQ1G 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 40A 136W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，20A 功率 - 最大值:136W 開關能量:230μJ（開），580μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:120nC 25°C 時 Td（開/關）值:9ns/140ns 測試條件:400V，20A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT20GF120BRG 功能描述:IGBT NPT 1200V 32A 200W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:32A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):64A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，15A 功率 - 最大值:200W 開關能量:2.7mJ 輸入類型:標準柵極電荷:95nC 25°C 時 Td（開/關）值:17ns/105ns 測試條件:- 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:30 APT20GF120BRDQ1G 功能描述:IGBT NPT 1200V 36A 200W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:36A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):64A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，15A 功率 - 最大值:200W 開關能量:895μJ（開），840μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:100nC 25°C 時 Td（開/關）值:10ns/120ns 測試條件:800V，15A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:30 APT20F50S 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 500μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:75nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:290W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D3Pak 封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA 標準包裝:1 APT20M22JVRU2 APT20M22JVRU3 APT20M22LVFRG APT20M22LVRG APT20M38BVFRG APT20M38BVRG APT20M38SVFRG APT20M38SVRG APT20M38SVRG/TR APT20M45BVFRG APT20M45BVRG APT20N60BC3G APT20N60SC3G APT20SCD120B APT20SCD120S APT20SCD65K APT21M100J APT22F100J