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APT40GP90JDF2

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價格
說明
操作

APT40GP90JDF2
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
13484
APT
直插/貼片
2025+
-
代理商庫房現貨

APT40GP90JDF2
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
APT
原廠封裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

APT40GP90JDF2
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
APT
09+
-
假一罰十，百分百原裝正品

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您是不是要找： APT40GP90JDQ2 APT40GR120B APT40GR120B2D30 APT40GR120B2SCD10 APT40GR120S APT40GT60BRG APT40M35JVFR APT40M42JN APT40M70JVFR

APT40GP90JDF2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT40GP90JDF2 技術參數

APT40GP90J 功能描述:IGBT Module PT Single 900V 68A 284W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:68A 功率 - 最大值:284W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，40A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT40GP90BG 功能描述:IGBT PT 900V 100A 543W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，40A 功率 - 最大值:543W 開關能量:825μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:145nC 25°C 時 Td（開/關）值:16ns/75ns 測試條件:600V，40A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT40GP90B2DQ2G 功能描述:IGBT PT 900V 101A 543W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:101A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，40A 功率 - 最大值:543W 開關能量:795μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:145nC 25°C 時 Td（開/關）值:14ns/90ns 測試條件:600V，40A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式安裝類型:通孔供應商器件封裝:* 標準包裝:1 APT40GP60SG 功能描述:IGBT PT 600V 100A 543W Surface Mount D3 [S] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，40A 功率 - 最大值:543W 開關能量:385μJ（開），352μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:135nC 25°C 時 Td（開/關）值:20ns/64ns 測試條件:400V，40A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D3 [S] 標準包裝:1 APT40GP60JDQ2 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 86A 284W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:86A 功率 - 最大值:284W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，40A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:4.61nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT40M70LVFRG APT40M75JN APT40N60JCU2 APT40N60JCU3 APT40SM120B APT40SM120J APT40SM120S APT41F100J APT41M80B2 APT41M80L APT42F50B APT42F50S APT43F60B2 APT43F60L APT43GA90B APT43GA90BD30 APT43M60B2 APT43M60L