免费欧美网站_国产精品成熟老女人_一区二区国产精品视频_欧美野外猛男的大粗鳮_97神马电影_色就是色欧美_免费一区二区三区在线观看_国产精品熟女一区二区不卡_国产又粗又黄又猛_真实乱视频国产免费观看

<fieldset id="kkcku"></fieldset>

<ul id="kkcku"></ul>

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > B字母型號搜索 > B字母第1289頁 >

BFR 183W E6327

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

1/1頁 40條/頁共11條
1

您是不是要找： BFR 193 E6327 BFR 193L3 E6327 BFR 193W E6327 BFR 340T E6327 BFR 360F E6327 BFR 360F E6765 BFR 360L3 E6327 BFR 360L3 E6765 BFR 360T E6327

BFR 183W E6327 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BFR 183W E6327 PDF下載

功能描述
射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
RoHS
否
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶體管極性
NPN
最大工作頻率
7000 MHz
集電極—發射極最大電壓 VCEO
15 V
發射極 - 基極電壓 VEBO
2 V
集電極連續電流
0.15 A
功率耗散
1000 mW
直流集電極/Base Gain hfe Min
最大工作溫度
+ 150 C
封裝 / 箱體
SOT-223
封裝
Reel

BFR 183W E6327 技術參數

BFR 183T E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 65mA 8GHz 250mW Surface Mount PG-SC-75 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:19.5dB 功率 - 最大值:250mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 15mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:PG-SC-75 標準包裝:3,000 BFR 183 E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 65mA 8GHz 450mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:17.5dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 15mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BFR 182W E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:19dB 功率 - 最大值:250mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 10mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:1 BFR 182T E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Surface Mount PG-SC-75 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:20dB 功率 - 最大值:250mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:PG-SC-75 標準包裝:3,000 BFR 182 E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:12dB ~ 18dB 功率 - 最大值:250mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 10mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BFR 380F E6327 BFR 380T E6327 BFR 460L3 E6327 BFR 705L3RH E6327 BFR 740L3 E6327 BFR 740L3RH E6327 BFR 92P E6327 BFR 92W E6327 BFR 93A E6327 BFR 93AW E6327 BFR 949L3 E6327 BFR 949T E6327 BFR.3K.100.NAS BFR106,215 BFR106E6327HTSA1 BFR10SL3P1 BFR10SL3S1 BFR10SL4P1