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IDT709349L9PF8

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IDT709349L9PF8
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：譚玉麗
電話：19129491949(手機優(yōu)先微信同號)0755-83267816
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
10001
IDT, Integrated Device Te
100-LQFP
12+
-
授權(quán)分銷現(xiàn)貨熱賣

1/1頁 40條/頁共9條
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IDT709349L9PF8 PDF下載

功能描述
IC SRAM 72KBIT 9NS 100TQFP
RoHS
否
類別
集成電路 (IC) >> 存儲器
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
72
系列
-
格式 - 存儲器
RAM
存儲器類型
SRAM - 同步
存儲容量
9M（256K x 36）
速度
75ns
接口
并聯(lián)
電源電壓
3.135 V ~ 3.465 V
工作溫度
-40°C ~ 85°C
封裝/外殼
100-LQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝
100-TQFP（14x14）
包裝
托盤
其它名稱
71V67703S75PFGI

IDT709349L9PF8 技術(shù)參數(shù)

IDT709199L9PFI8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 9NS 100TQFP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT709199L9PFI 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 9NS 100TQFP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT709199L9PF8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 9NS 100TQFP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT709199L9PF 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 9NS 100TQFP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT709199L7PF8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 7NS 100TQFP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT70P3307S233RM IDT70P3307S233RMI IDT70P3307S250RM IDT70P3337S233RM IDT70P3337S233RMI IDT70P3337S250RM IDT70P3517S233RM IDT70P3517S233RMI IDT70P3517S250RM IDT70P3519S166BFGI IDT70P3537S233RM IDT70P3537S233RMI IDT70P3537S250RM IDT70T3319S133DD IDT70T3319S133DDI IDT70T3319S166DD IDT70T3399S133DD IDT70T3399S133DDI

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