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IDT70V9169L6PF

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廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

IDT70V9169L6PF
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
IDT
100 TQFP (PN100)
07/08+
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

IDT70V9169L6PF
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：譚玉麗
電話：19129491949(手機(jī)優(yōu)先微信同號)0755-83267816
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室
10001
IDT, Integrated Device Te
100-LQFP
12+
-
授權(quán)分銷現(xiàn)貨熱賣

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IDT70V9169L6PF PDF下載

功能描述
IC SRAM 144KBIT 6NS 100TQFP
RoHS
否
類別
集成電路 (IC) >> 存儲器
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
系列
-
格式 - 存儲器
RAM
存儲器類型
SRAM - 雙端口，同步
存儲容量
1.125M（32K x 36）
速度
5ns
接口
并聯(lián)
電源電壓
3.15 V ~ 3.45 V
工作溫度
-40°C ~ 85°C
封裝/外殼
256-LBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝
256-CABGA（17x17）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
70V3579S5BCI8

IDT70V9169L6PF 技術(shù)參數(shù)

IDT70V7339S166DDI 功能描述:IC SRAM 9MBIT 166MHZ 144TQFP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT70V7339S166DD 功能描述:IC SRAM 9MBIT 166MHZ 144TQFP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT70V7339S133DDI 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 144TQFP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT70V7339S133DD 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 144TQFP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT70V7319S166DDI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 144TQFP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT71016S12YGI8 IDT71016S12YI IDT71016S12YI8 IDT71016S15PH IDT71016S15PH8 IDT71016S15PHI IDT71016S15PHI8 IDT71016S15Y IDT71016S15Y8 IDT71016S15YI IDT71016S15YI8 IDT71016S20PH IDT71016S20PH8 IDT71016S20PHI IDT71016S20PHI8 IDT71016S20Y IDT71016S20Y8 IDT71016S20YI

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