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JAN-TX-1N5531B

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JAN-TX-1N5531B 技術參數

JANTX1N5530DUR-1 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTX1N5530D-1 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JANTX1N5530CUR-1 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTX1N5530C-1 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JANTX1N5530BUR-1 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTX1N5532D-1 JANTX1N5532DUR-1 JANTX1N5533B-1 JANTX1N5533BUR-1 JANTX1N5533C-1 JANTX1N5533CUR-1 JANTX1N5533D-1 JANTX1N5533DUR-1 JANTX1N5534B-1 JANTX1N5534BUR-1 JANTX1N5534C-1 JANTX1N5534CUR-1 JANTX1N5534D-1 JANTX1N5534DUR-1 JANTX1N5535B-1 JANTX1N5535BUR-1 JANTX1N5535C-1 JANTX1N5535CUR-1