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JAN-TX-1N751A

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JAN-TX-1N751A 技術參數

JANTX1N750DUR-1 功能描述:Zener Diode 4.7V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:19 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTX1N750D-1 功能描述:Zener Diode 4.7V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:19 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JANTX1N750CUR-1 功能描述:Zener Diode 4.7V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:19 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTX1N750C-1 功能描述:Zener Diode 4.7V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:19 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JANTX1N750A-1 功能描述:Zener Diode 4.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JANTX1N753AUR-1 JANTX1N753C-1 JANTX1N753CUR-1 JANTX1N753DUR-1 JANTX1N754A-1 JANTX1N754AUR-1 JANTX1N754C-1 JANTX1N754CUR-1 JANTX1N754D-1 JANTX1N754DUR-1 JANTX1N755A-1 JANTX1N755AUR-1 JANTX1N755C-1 JANTX1N755CUR-1 JANTX1N755D-1 JANTX1N755DUR-1 JANTX1N756A-1 JANTX1N756AUR-1