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JAN1N2812RB

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制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
50 Watt Zener Diodes

JAN1N2812RB 技術參數

JAN1N2810B 功能描述:Zener Diode 12V 50W ±5% Through Hole TO-204AD (TO-3) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/114 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:50W 阻抗（最大值）（Zzt）:1 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AD 供應商器件封裝:TO-204AD（TO-3）標準包裝:1 JAN1N2808B 功能描述:Zener Diode 10V 50W ±5% Through Hole TO-204AD (TO-3) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/114 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:50W 阻抗（最大值）（Zzt）:0.6 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 6.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AD 供應商器件封裝:TO-204AD（TO-3）標準包裝:1 JAN1N2807B 功能描述:Zener Diode 9.1V 50W ±5% Through Hole TO-204AD (TO-3) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/114 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:50W 阻抗（最大值）（Zzt）:0.5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 6.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AD 供應商器件封裝:TO-204AD（TO-3）標準包裝:1 JAN1N2806RB 功能描述:Zener Diode 8.2V 50W ±5% Through Hole TO-204AD (TO-3) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/114 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:50W 阻抗（最大值）（Zzt）:0.4 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 5.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AD 供應商器件封裝:TO-204AD（TO-3）標準包裝:1 JAN1N2806B 功能描述:Zener Diode 8.2V 50W ±5% Through Hole TO-204AD (TO-3) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/114 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:50W 阻抗（最大值）（Zzt）:0.4 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 5.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AD 供應商器件封裝:TO-204AD（TO-3）標準包裝:1 JAN1N2980B JAN1N2982B JAN1N2989B JAN1N2991B JAN1N3000B JAN1N3001RB JAN1N3005B JAN1N3009B JAN1N3011B JAN1N3015B JAN1N3016B-1 JAN1N3016BUR-1 JAN1N3016C-1 JAN1N3016CUR-1 JAN1N3016D-1 JAN1N3016DUR-1 JAN1N3017B-1 JAN1N3017BUR-1