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JAN1N2971RA

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制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
10 WATT ZENER DIODES

JAN1N2971RA 技術參數

JAN1N2970RB 功能描述:Zener Diode 6.8V 10W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/124 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:1.2 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:150μA @ 5.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-213AA（DO-4）標準包裝:1 JAN1N2843B 功能描述:Zener Diode 150V 50W ±5% Through Hole TO-204AD (TO-3) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/114 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:150V 容差:±5% 功率 - 最大值:50W 阻抗（最大值）（Zzt）:75 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 114V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AD 供應商器件封裝:TO-204AD（TO-3）標準包裝:1 JAN1N2842B 功能描述:Zener Diode 130V 50W ±5% Through Hole TO-204AD (TO-3) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/114 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:130V 容差:±5% 功率 - 最大值:50W 阻抗（最大值）（Zzt）:50 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 98.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AD 供應商器件封裝:TO-204AD（TO-3）標準包裝:1 JAN1N2825B 功能描述:Zener Diode 36V 50W ±5% Through Hole TO-204AD (TO-3) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/114 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:50W 阻抗（最大值）（Zzt）:3.5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 27.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AD 供應商器件封裝:TO-204AD（TO-3）標準包裝:1 JAN1N2821RB 功能描述:Zener Diode 25V 5W ±5% Through Hole TO-204AD (TO-3) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/114 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:25V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.7 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 19V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AD 供應商器件封裝:TO-204AD（TO-3）標準包裝:1 JAN1N3005B JAN1N3009B JAN1N3011B JAN1N3015B JAN1N3016B-1 JAN1N3016BUR-1 JAN1N3016C-1 JAN1N3016CUR-1 JAN1N3016D-1 JAN1N3016DUR-1 JAN1N3017B-1 JAN1N3017BUR-1 JAN1N3017C-1 JAN1N3017CUR-1 JAN1N3017D-1 JAN1N3017DUR-1 JAN1N3018B-1 JAN1N3018BUR-1