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JAN1N3001BR

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JAN1N3001BR 技術參數

JAN1N3000B 功能描述:Zener Diode 62V 10W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/124 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:62V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:17 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 47.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-213AA（DO-4）標準包裝:1 JAN1N2991B 功能描述:Zener Diode 36V 10W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/124 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 27.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-213AA（DO-4）標準包裝:1 JAN1N2989B 功能描述:Zener Diode 30V 10W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/124 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 22.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-213AA（DO-4）標準包裝:1 JAN1N2982B 功能描述:Zener Diode 18V 10W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/124 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 13.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-213AA（DO-4）標準包裝:1 JAN1N2980B 功能描述:Zener Diode 16V 10W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/124 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:16V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 12.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-213AA（DO-4）標準包裝:1 JAN1N3016D-1 JAN1N3016DUR-1 JAN1N3017B-1 JAN1N3017BUR-1 JAN1N3017C-1 JAN1N3017CUR-1 JAN1N3017D-1 JAN1N3017DUR-1 JAN1N3018B-1 JAN1N3018BUR-1 JAN1N3018C-1 JAN1N3018CUR-1 JAN1N3018D-1 JAN1N3018DUR-1 JAN1N3019B-1 JAN1N3019BUR-1 JAN1N3019C-1 JAN1N3019CUR-1