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JAN1N3027BA

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JAN1N3027BA 技術參數

JAN1N3027B-1 功能描述:Zener Diode 20V 1W ±5% Through Hole DO-204AL (DO-41) 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:20V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:22 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 15.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:1 JAN1N3026DUR-1 功能描述:Zener Diode 18V 1W ±1% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 13.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應商器件封裝:DO-213AB（MELF，LL41）標準包裝:1 JAN1N3026D-1 功能描述:Zener Diode 18V 1W ±1% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 13.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 JAN1N3026CUR-1 功能描述:Zener Diode 18V 1W ±2% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 13.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應商器件封裝:DO-213AB（MELF，LL41）標準包裝:1 JAN1N3026C-1 功能描述:Zener Diode 18V 1W ±2% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 13.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 JAN1N3028DUR-1 JAN1N3029B-1 JAN1N3029BUR-1 JAN1N3029C-1 JAN1N3029CUR-1 JAN1N3029D-1 JAN1N3029DUR-1 JAN1N3030B-1 JAN1N3030BUR-1 JAN1N3030C-1 JAN1N3030CUR-1 JAN1N3030D-1 JAN1N3030DUR-1 JAN1N3031B-1 JAN1N3031BUR-1 JAN1N3031C-1 JAN1N3031CUR-1 JAN1N3031D-1