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JAN1N3305RA 技術(shù)參數(shù)

JAN1N3174 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 300A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/211 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:300A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.55V @ 940A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10mA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-205AB，DO-9，接線柱供應(yīng)商器件封裝:DO-205AB，DO-9 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 200°C 標準包裝:1 JAN1N3045DUR-1 功能描述:Zener Diode 110V 1W ±1% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:110V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:450 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 83.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB（MELF，LL41）標準包裝:1 JAN1N3045D-1 功能描述:Zener Diode 110V 1W ±1% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:110V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:450 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 83.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 JAN1N3045CUR-1 功能描述:Zener Diode 110V 1W ±2% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:110V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:450 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 83.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB（MELF，LL41）標準包裝:1 JAN1N3045C-1 功能描述:Zener Diode 110V 1W ±2% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:110V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:450 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 83.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 JAN1N3339B JAN1N3595-1 JAN1N3595A-1 JAN1N3595AUR-1 JAN1N3595AUS JAN1N3595UR-1 JAN1N3600 JAN1N3611 JAN1N3612 JAN1N3613 JAN1N3614 JAN1N3644 JAN1N3645 JAN1N3646 JAN1N3647 JAN1N3671A JAN1N3671AR JAN1N3671R

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