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JAN1N3888R

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JAN1N3888R 技術參數

JAN1N3828DUR-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 1W ±1% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:2 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應商器件封裝:DO-213AB（MELF，LL41）標準包裝:1 JAN1N3828D-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 1W ±1% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:2 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 JAN1N3828CUR-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 1W ±2% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:2 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應商器件封裝:DO-213AB（MELF，LL41）標準包裝:1 JAN1N3828C-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 1W ±2% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:2 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 JAN1N3828AUR-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 1W ±5% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:2 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應商器件封裝:DO-213AB（MELF，LL41）標準包裝:1 JAN1N4099UR-1 JAN1N4100-1 JAN1N4100C-1 JAN1N4100CUR-1 JAN1N4100D-1 JAN1N4100DUR-1 JAN1N4100UR-1 JAN1N4101-1 JAN1N4101C-1 JAN1N4101CUR-1 JAN1N4101D-1 JAN1N4101DUR-1 JAN1N4101UR-1 JAN1N4102-1 JAN1N4102C-1 JAN1N4102CUR-1 JAN1N4102D-1 JAN1N4102DUR-1