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JAN1N4114

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JAN1N4114-1
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
DO-204AH
23+
-
微芯專營優勢產品

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1

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JAN1N4114 技術參數

JAN1N4113UR-1 功能描述:Zener Diode 19V ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:19V 容差:±5% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:150 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 14.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N4113DUR-1 功能描述:Zener Diode 19V ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:19V 容差:±1% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:150 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 14.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N4113D-1 功能描述:Zener Diode 19V ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:19V 容差:±1% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:150 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 14.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JAN1N4113CUR-1 功能描述:Zener Diode 19V ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:19V 容差:±2% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:150 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 14.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N4113C-1 功能描述:Zener Diode 19V ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:19V 容差:±2% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:150 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 14.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JAN1N4115D-1 JAN1N4115DUR-1 JAN1N4115UR-1 JAN1N4116-1 JAN1N4116C-1 JAN1N4116CUR-1 JAN1N4116D-1 JAN1N4116DUR-1 JAN1N4116UR-1 JAN1N4117-1 JAN1N4117C-1 JAN1N4117CUR-1 JAN1N4117D-1 JAN1N4117DUR-1 JAN1N4117UR-1 JAN1N4118-1 JAN1N4118C-1 JAN1N4118CUR-1