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JAN1N4122

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JAN1N4122-1
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
DO-204AH
23+
-
微芯專營優勢產品

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1

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JAN1N4122 技術參數

JAN1N4121UR-1 功能描述:Zener Diode 33V ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 25.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N4121DUR-1 功能描述:Zener Diode 33V ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±1% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 25.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N4121D-1 功能描述:Zener Diode 33V ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±1% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 25.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JAN1N4121CUR-1 功能描述:Zener Diode 33V ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±2% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 25.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N4121C-1 功能描述:Zener Diode 33V ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±2% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 25.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JAN1N4123D-1 JAN1N4123DUR-1 JAN1N4123UR-1 JAN1N4124-1 JAN1N4124C-1 JAN1N4124CUR-1 JAN1N4124D-1 JAN1N4124DUR-1 JAN1N4124UR-1 JAN1N4125-1 JAN1N4125C-1 JAN1N4125CUR-1 JAN1N4125D-1 JAN1N4125DUR-1 JAN1N4125UR-1 JAN1N4126-1 JAN1N4126C-1 JAN1N4126CUR-1