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JAN1N4973A 技術(shù)參數(shù)

JAN1N4973 功能描述:Zener Diode 43V 5W ±5% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:E-MELF 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 標準包裝:1 JAN1N4972US 功能描述:Zener Diode 39V 5W ±5% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:14 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:E-MELF 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 標準包裝:1 JAN1N4972DUS 功能描述:Zener Diode 39V 5W ±1% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:14 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，E 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 標準包裝:1 JAN1N4972D 功能描述:Zener Diode 39V 5W ±1% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:14 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:E，軸向供應(yīng)商器件封裝:E，軸向標準包裝:1 JAN1N4972CUS 功能描述:Zener Diode 39V 5W ±2% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:14 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，E 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 標準包裝:1 JAN1N4974DUS JAN1N4974US JAN1N4975 JAN1N4975C JAN1N4975CUS JAN1N4975D JAN1N4975DUS JAN1N4975US JAN1N4976 JAN1N4976C JAN1N4976CUS JAN1N4976D JAN1N4976DUS JAN1N4976US JAN1N4977 JAN1N4977C JAN1N4977CUS JAN1N4977D

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