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JAN1N5552A 技術(shù)參數(shù)

JAN1N5552 功能描述:Diode Standard 600V 3A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/420 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 9A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N5551US 功能描述:Diode Standard 400V 3A Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/420 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 9A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N5551 功能描述:Diode Standard 400V 3A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/420 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 9A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N5550US 功能描述:Diode Standard 200V 3A Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/420 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 9A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N5550 功能描述:Diode Standard 200V 3A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/420 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 9A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N5611 JAN1N5612 JAN1N5614 JAN1N5614US JAN1N5615 JAN1N5615US JAN1N5616 JAN1N5616/TR JAN1N5616US JAN1N5617 JAN1N5617US JAN1N5618 JAN1N5618US JAN1N5619 JAN1N5619US JAN1N5620 JAN1N5620US JAN1N5621

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