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JAN1N5597

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制造商
Texas Instruments
功能描述
1 A, SILICON, SIGNAL DIODE

JAN1N5597 技術參數

JAN1N5558 功能描述:TVS DIODE 175VWM 265VC DO13 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/500 包裝:散裝零件狀態:在售類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:175V 電壓 - 擊穿（最小值）:191V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:265V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:5.7A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-13 供應商器件封裝:DO-13（DO-202AA）標準包裝:1 JAN1N5556 功能描述:TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC DO13 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/500 包裝:散裝零件狀態:在售類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:40.3V 電壓 - 擊穿（最小值）:43.7V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:63.5V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:24A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-13 供應商器件封裝:DO-13（DO-202AA）標準包裝:1 JAN1N5555 功能描述:TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC DO13 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/500 包裝:散裝零件狀態:在售類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:30.5V 電壓 - 擊穿（最小值）:33V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:47.5V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:32A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-13 供應商器件封裝:DO-13（DO-202AA）標準包裝:1 JAN1N5554US 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 5A Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/420 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 9A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N5554 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 3A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/420 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 9A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N5616US JAN1N5617 JAN1N5617US JAN1N5618 JAN1N5618US JAN1N5619 JAN1N5619US JAN1N5620 JAN1N5620US JAN1N5621 JAN1N5621US JAN1N5622 JAN1N5622US JAN1N5623 JAN1N5623US JAN1N5629A JAN1N5632A JAN1N5635A