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JAN1N6463

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說明
操作

JAN1N6463
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/周小姐/高先生
電話：134878658521376027201718520805148
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
294230
Microchip Technology
最新批次
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

JAN1N6463
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
B
23+
-
微芯專營優勢產品

JAN1N6463
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業執照
0
SEMTECH
con
24+
-
電子元件

JAN1N6463
北京天陽誠業科貿有限公司
北京天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
0
SEMTECH
con
24+
-
電子元件

JAN1N6463
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區建國門外大街9號樓603室
1
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原裝進口
-
代理渠道可追溯現貨庫存F

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
TVS SGL UNI-DIR 12V 500W 2PIN E - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

JAN1N6463 技術參數

JAN1N6462US 功能描述:TVS DIODE 6VWM 11VC BSQMELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/551 包裝:散裝零件狀態:在售類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:6V 電壓 - 擊穿（最小值）:6.5V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:11V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:258A（8/20μs）功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:1 JAN1N6462 功能描述:TVS DIODE 6VWM 11VC BPKG AXIAL 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/551 包裝:散裝零件狀態:在售類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:6V 電壓 - 擊穿（最小值）:6.5V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:11V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:258A（8/20μs）功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:1 JAN1N6461US 功能描述:TVS DIODE 5VWM 9VC BSQMELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/551 包裝:散裝零件狀態:在售類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:5V 電壓 - 擊穿（最小值）:5.6V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:9V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:315A（8/20μs）功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:1 JAN1N6461 功能描述:TVS DIODE 5VWM 9VC BPKG AXIAL 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/551 包裝:散裝零件狀態:在售類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:5V 電壓 - 擊穿（最小值）:5.6V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:9V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:315A（8/20μs）功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:1 JAN1N645-1 功能描述:Diode Standard 225V 400mA Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/240 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:225V 電流 - 平均整流（Io）:400mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 400mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 225V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N6468 JAN1N6468US JAN1N6469 JAN1N6469US JAN1N6470 JAN1N6470US JAN1N6471 JAN1N647-1 JAN1N6471US JAN1N6472 JAN1N6472US JAN1N6473 JAN1N6473US JAN1N6474 JAN1N6474US JAN1N6475 JAN1N6475US JAN1N6476