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JAN1N663

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型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

JAN1N6630
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
E
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產品

JAN1N6638US
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業(yè)執(zhí)照
0
SEMTECH
con
24+
-
電子元件

JAN1N6638US
北京天陽誠業(yè)科貿有限公司
北京天陽誠業(yè)科貿有限公司
聯(lián)系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業(yè)執(zhí)照
0
SEMTECH
con
24+
-
電子元件

JAN1N6631US
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室
1
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原裝進口
-
代理渠道可追溯現(xiàn)貨庫存F

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1

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JAN1N663 技術參數(shù)

JAN1N6629US 功能描述:Diode Standard 880V 1.4A Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/590 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:880V 電流 - 平均整流（Io）:1.4A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.4A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 880V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:40pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，E 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 JAN1N6629U 功能描述:Diode Standard 800V 1.4A Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/590 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:1.4A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.4A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，E 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:100 JAN1N6629 功能描述:Diode Standard 880V 1.4A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/590 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:880V 電流 - 平均整流（Io）:1.4A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.4A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:E，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N6628US 功能描述:Diode Standard 660V 1.75A Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/590 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:660V 電流 - 平均整流（Io）:1.75A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.35V @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 660V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:40pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，E 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 JAN1N6628U 功能描述:Diode Standard 600V 1.75A Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/590 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1.75A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.35V @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，E 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:100 JAN1N6639 JAN1N6639US JAN1N6640 JAN1N6640US JAN1N6641 JAN1N6641US JAN1N6642 JAN1N6642U JAN1N6642UB JAN1N6642UB2 JAN1N6642UB2R JAN1N6642UBCA JAN1N6642UBCC JAN1N6642UBD JAN1N6642US JAN1N6643 JAN1N6643U JAN1N6643US