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JAN1N6638US

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封裝
批號
價格
說明
操作

JAN1N6638US
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
DO-213AB
23+
-
微芯專營優勢產品

JAN1N6638US
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業執照
0
SEMTECH
con
24+
-
電子元件

JAN1N6638US
北京天陽誠業科貿有限公司
北京天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
0
SEMTECH
con
24+
-
電子元件

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制造商
Aeroflex
功能描述
Diode Switching 125V 0.3A 2-Pin US
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode Switching 125V 0.3A 2-Pin B-MELF
制造商
Aeroflex / Metelics
功能描述
SWITCHING DIODE - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
SWITING 125V 0.3A 2PIN D-5D - Bulk

JAN1N6638US 技術參數

JAN1N6638U 功能描述:Diode Standard 150V 300mA Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/578 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:20ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 150V 不同?Vr，F 時的電容:2.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N6638 功能描述:Diode Standard 150V 300mA Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/578 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:20ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 150V 不同?Vr，F 時的電容:2.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:D，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N6631US 功能描述:Diode Standard 1100V (1.1kV) 1.4A Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/590 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1100V（1.1kV）電流 - 平均整流（Io）:1.4A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.6V @ 1.4A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:60ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:4μA @ 1100V 不同?Vr，F 時的電容:40pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，E 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 JAN1N6631U 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 1.4A Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/590 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1.4A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.6V @ 1.4A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:60ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:4μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，E 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:100 JAN1N6631 功能描述:Diode Standard 1100V (1.1kV) 1.4A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/590 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1100V（1.1kV）電流 - 平均整流（Io）:1.4A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.6V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:60ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:E，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N6642UB2 JAN1N6642UB2R JAN1N6642UBCA JAN1N6642UBCC JAN1N6642UBD JAN1N6642US JAN1N6643 JAN1N6643U JAN1N6643US JAN1N6660 JAN1N6660CAT1 JAN1N6660CCT1 JAN1N6660DT1 JAN1N6661US JAN1N6674R JAN1N6677UR-1 JAN1N6761UR-1 JAN1N6843CCU3