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JAN1N749A1

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JAN1N749A1 技術參數

JAN1N748DUR-1 功能描述:Zener Diode 3.9V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:23 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N748D-1 功能描述:Zener Diode 3.9V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:23 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JAN1N748CUR-1 功能描述:Zener Diode 3.9V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:23 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N748C-1 功能描述:Zener Diode 3.9V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:23 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JAN1N748AUR-1 功能描述:Zener Diode 3.9V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:23 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N750D-1 JAN1N750DUR-1 JAN1N751A-1 JAN1N751AUR-1 JAN1N751C-1 JAN1N751CUR-1 JAN1N751D-1 JAN1N751DUR-1 JAN1N752A-1 JAN1N752AUR-1 JAN1N752C-1 JAN1N752CUR-1 JAN1N752D-1 JAN1N752DUR-1 JAN1N753A-1 JAN1N753AUR-1 JAN1N753C-1 JAN1N753CUR-1